Stage - Amplificateur à faible bruit (LNA) SiGe HBT pour applications cryogéniques

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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Contexte
La course au développement de l'ordinateur quantique s'est fortement accélérée ces dernières années, mobilisant de nombreux efforts à l'échelle internationale. Ces ordinateurs fonctionnent à des températures extrêmement basses, bien inférieures à 4K, afin de préserver les propriétés fondamentales des états quantiques.

Pour contrôler et lire ces états de manière plus rapide et efficace, tout en limitant les connexions entre le processeur quantique et les instruments situés à température ambiante, il est nécessaire d'utiliser des circuits électroniques classiques directement intégrés à proximité du processeur, dans un environnement cryogénique.

Par ailleurs, d'autres applications émergentes — comme l'exploration spatiale, le calcul haute performance ou encore la physique des hautes énergies — exigent également un fonctionnement fiable des transistors CMOS à basse température, souvent en dessous de 100K.

Objectifs du stage
Ce stage a pour objectif d'étudier le comportement électrique de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe (Silicium-Germanium) dans un environnement cryogénique.

Vous serez amené(e) à réaliser des mesures électriques et à développer des modèles permettant de mieux comprendre le fonctionnement de ces composants à très basse température, en vue d'optimiser leur utilisation dans des conditions extrêmes.

*Profil du candidat*
Étudiant(e) en Master, vous possédez des connaissances en microélectronique, en physique des dispositifs et/ou en composants RF. Vous appréciez le travail expérimental et êtes motivé(e) par l'exploration de domaines innovants, au-delà de l'électronique conventionnelle. Curieux(se) et ouvert(e), vous aimez travailler en équipe dans un environnement international stimulant.

Une opportunité de doctorat sur des sujets connexes sera ouverte en septembre 2024. Vous pourrez y postuler dans le cadre de votre stage.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles
Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :

• L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
• Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
• Une expérience à la pointe de l'innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
• Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
• De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage
• Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
• Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
• Un équilibre vie privée – vie professionnelle reconnu,
• Un restaurant d'entreprise,
• Une politique diversité et inclusion,

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.

*Localisation du poste
Site*
Grenoble

*Localisation du poste*
France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville
Grenoble

*Critères candidat
Langues*
Anglais (Intermédiaire)

Diplôme préparé
Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée
Master 2 en RF et/ou physique des dispositifs et semiconducteurs

Possibilité de poursuite en thèse
Oui

*Demandeur
Disponibilité du poste*
01/02/2026