Emplois actuels liés à Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium - Grenoble - CNRS
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Ingénieur ASIC analog
il y a 20 heures
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France EN-CORE Temps pleinA propos de l'entrepriseEN-CORE est une société spécialisée dans la conception de composants électroniques de puissance en GaN (Gallium Nitride). Nous nous positionnons comme un acteur avant-gardiste dans le domaine des convertisseurs AC-DC.Le posteNous recherchons un designer analogique expérimenté pour rejoindre notre équipe. Vous serez...
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Ingénieur ASIC analog
il y a 2 jours
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France EN-CORE Temps pleinA propos de l'entrepriseEN-CORE est une société spécialisée dans la conception de composants électroniques de puissance en GaN (Gallium Nitride). Nous nous positionnons comme un acteur avant-gardiste dans le domaine des convertisseurs AC-DC.Le posteNous recherchons un designer analogique expérimenté pour rejoindre notre équipe. Vous serez responsable...
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Ingénieur ASIC analog
il y a 1 semaine
Grenoble, France EN-CORE.IO Temps pleinA propos de l'entreprise : /! Disclaimer : Nous ne sommes pas une SSII/ESN, et ce poste n'est pas à pourvoir dans une SSII/ESN mais bien dans l'entreprise en CDI direct. A bon entendeur ;)Une société spécialisée dans la conception de composants électroniques de puissance en GaN (Gallium Nitride), qui se positionne comme un acteur avant-gardiste...
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Grenoble, France CEA Temps pleinDescription de l'offre Le marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de...
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Ingénieur ASIC analog
il y a 1 semaine
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France EN-CORE Temps pleinÀ propos de l'entrepriseEN-CORE est une entreprise spécialisée dans la conception de composants électroniques de puissance en GaN (Gallium Nitride), qui se positionne comme un acteur avant-gardiste dans le domaine des convertisseurs AC-DC.L'équipe conçoit et fait produire des systèmes complets (carte + circuit intégré GaN). Leur...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription de l'offreLe CEA Leti est à la pointe de la recherche et du développement dans le domaine des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC). Nous recherchons un Ingénieur Test et Caractérisation Electrique de Composants pour la puissance pour rejoindre notre équipe...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription de l'offreVous rejoignez une équipe pluridisciplinaire de recherche et développement au sein du CEA, où vous contribuerez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d'autres substrats alternatifs.ResponsabilitésVous êtes en charge du suivi des lots tout au long de leur...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription de l'offreVous rejoignez une équipe pluridisciplinaire de recherche et développement au sein du CEA, où vous contribuerez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d'autres substrats alternatifs.ResponsabilitésVous êtes en charge du suivi des lots tout au long de leur...
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Ingénieur Électronicien de Puissance
il y a 2 semaines
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France PRIME ENGINEERING Temps pleinPrésentation du posteL'entreprise PRIME ENGINEERING recherche un Ingénieur Électronicien de Puissance pour renforcer son équipe de conception et de développement de systèmes électroniques de puissance.ResponsabilitésConception et développement de convertisseurs de puissance : concevoir et développer des convertisseurs de puissance (AC/DC,...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription de l'offreLe CEA Leti est à la pointe de la recherche et du développement dans le domaine des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC). Nous recherchons un Ingénieur Test et Caractérisation Electrique de Composants pour la puissance pour rejoindre notre équipe...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinOffre de PosteLe CEA Leti recherche un Ingénieur Test et Caractérisation Electrique de Composants pour la puissance H/F.ContexteLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types...
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Ingénieur Carte électronique
il y a 1 semaine
Grenoble, France EN-CORE.IO Temps pleinA propos de l'entreprise : /! Disclaimer : Nous ne sommes pas une SSII/ESN, et ce poste n'est pas à pourvoir dans une SSII/ESN mais bien dans un bureau d'étude, en CDI direct. A bon entendeur ;)Un bureau d'étude doté de capacités de production, spécialisé dans l'étude, la conception, et la fabrication de systèmes mécatroniques. L'entreprise...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription du PosteLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de lignes...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinDescription de l'offreVous rejoignez une équipe pluridisciplinaire de recherche et développement au sein du CEA, où vous contribuerez au développement de nouvelles générations de transistors de puissance à base de GaN sur silicium ou sur d'autres substrats alternatifs.ResponsabilitésVous êtes en charge du suivi des lots tout au long de leur...
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Ingénieur Caractérisation Électrique de Composants pour l'Énergie
il y a 4 semaines
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinLe CEA Leti recherche un Ingénieur Spécialisé en Test et Caractérisation Électrique de Composants pour l'énergie H/FDans le domaine dynamique des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC), le CEA Leti joue un rôle clé. Le laboratoire soutient les acteurs industriels du secteur dans l'établissement...
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Grenoble, France CEA Temps pleinDescription de l'offre Au sein d'une équipe d'une vingtaine d’ingénieurs-chercheurs pluridisciplinaires et en relation avec des partenaires industriels et académiques de premier rang, vous êtes en charge d’une filière de fabrication de nouveaux composants de puissance à semi-conducteur à large bande interdite. Plus particulièrement, vous...
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Ingénieur électronique de puissance F/H
il y a 2 semaines
Grenoble, France PRIME ENGINEERING Temps pleinAfin de renforcer notre équipe, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Électronique de Puissance expérimenté(e). Responsabilités: Concevoir et développer des convertisseurs de puissance (AC/DC, DC/DC, DC/AC) pour des applications variées (automobile, industrie, énergies renouvelables, etc.). Effectuer la simulation et la modélisation de circuits...
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Ingénieur électronique de puissance F/H
il y a 2 semaines
Grenoble, France PRIME ENGINEERING Temps pleinAfin de renforcer notre équipe, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Électronique de Puissance expérimenté(e). Responsabilités: Concevoir et développer des convertisseurs de puissance (AC/DC, DC/DC, DC/AC) pour des applications variées (automobile, industrie, énergies renouvelables, etc.). Effectuer la simulation et la modélisation de circuits...
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Ingénieur électronique de puissance F/H
il y a 2 semaines
Grenoble, France PRIME ENGINEERING Temps pleinAfin de renforcer notre équipe, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Électronique de Puissance expérimenté(e).Responsabilités:Concevoir et développer des convertisseurs de puissance (AC/DC, DC/DC, DC/AC) pour des applications variées (automobile, industrie, énergies renouvelables, etc.).Effectuer la simulation et la modélisation de circuits...
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Ingénieur électronique de puissance F/H
il y a 2 semaines
Grenoble, Isère, France PRIME ENGINEERING Temps pleinAfin de renforcer notre équipe, nous recherchons un(e) Ingénieur(e) Électronique de Puissance expérimenté(e).Responsabilités:Concevoir et développer des convertisseurs de puissance (AC/DC, DC/DC, DC/AC) pour des applications variées (automobile, industrie, énergies renouvelables, etc.).Effectuer la simulation et la modélisation de circuits...
Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium
Il y a 4 mois
Informations générales
Intitulé de l'offre : Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium (H/F)
Référence : UPR2940-FLOPOI-121
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : lundi 6 mai 2024
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 1 octobre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : La rémunération est d'un minimum de 2135,00 € mensuel
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique
Description du sujet de thèse
La transition écologique dans laquelle s’engage de plus en plus de pays conduit l’industrie microélectronique à s’orienter vers la durabilité. Basée sur cette tendance, la nouvelle génération de composants de puissance intègre désormais des matériaux semi-conducteurs à bande interdite ultra-large, tels que l’oxyde de gallium (Ga2O3) ou le nitrure d’aluminium (AlN). Ils permettent de fabriquer des composants qui supportent des tensions élevées avec de faibles pertes d’énergie en fonctionnement et par échauffement. Le stage s’inscrit dans ce contexte et celui du projet ALOFET (2024-2028) financé par l’Agence Nationale de la Recherche. Ce projet vise à développer une nouvelle architecture de transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) à partir d’une hétérostructure Ga2O3/AlN, capable de supporter des tensions supérieures au kilovolt. Ces transistors ont pour vocation d’intégrer des convertisseurs de tension, des onduleurs, des hacheurs, … qui seront ensuite insérés dans des véhicules électriques, des installations de panneaux solaires, des parcs d’éoliennes, etc... Les composants de puissance en oxyde de gallium ont le potentiel pour répondre aux applications couvertes par les technologies SiC et GaN, tout en donnant accès à de nouveaux champs applicatifs.
L’objectif de la thèse est de fabriquer des HEMTs à partir d’une hétérostructure Ga2O3/AlN. La ou le doctorant(e) réalisera des simulations électriques de l'empilement de matériaux afin d'optimiser la conception de l'hétérostructure. Les couches minces de Ga2O3 et les hétérostructures Ga2O3/AlN seront fournies par les partenaires du projet ALOFET (LMGP et PHELIQS). La ou le doctorant(e) réalisera les étapes technologiques de fabrication des composants en utilisant les outils de la salle blanche NanoFab (banc de chimie, lithographie, gravure, dépôt). Les caractérisations électriques et optiques des couches minces, de l'interface Ga2O3/AlN et des transistors seront réalisées par la ou le doctorant(e) en utilisant les installations de l'Institut Néel. Les résultats expérimentaux obtenus sur les couches minces seront confrontés aux études structurales menées en parallèle par les autres partenaires (LMGP, MEM) et aux simulations électriques.
De niveau master ou école d'ingénieur, le candidat doit avoir des connaissances en physique des semi-conducteurs et composants. Une expérience en caractérisation et/ou fabrication de dispoositifs microélectroniques serait un plus.
Contexte de travail
L'Institut NEEL, UPR 2940 CNRS, est l'un des plus grands instituts de recherche nationaux français pour la recherche fondamentale en physique de la matière condensée enrichi d'activités interdisciplinaires aux interfaces avec la chimie, l'ingénierie et la biologie. Le laboratoire est rattaché au CNRS Physique. Il est situé au cœur d'un environnement scientifique, industriel et culturel unique. Il fait partie de l'un des plus grands environnements de haute technologie d'Europe en micro et nanoélectronique, juste à côté des Alpes françaises.
L'équipe de recherches SC2G de l'Institut NEEL se concentre sur une famille de semi-conducteurs dits à large bande interdite (GaN et ZnO) et à ultra large bande interdite (diamant, AlN et Ga2O3). La finalité est le développement de dispositifs électroniques innovants basés sur ces matériaux pour l'électronique de puissance, les dispositifs émetteurs de lumière et les capteurs. À cette fin, nos activités comprennent des études fondamentales ainsi que les développements technologiques nécessaires à la fabrication de dispositifs aux propriétés électroniques sur mesure, tels que la croissance épitaxiale avec contrôle in situ, la nanofabrication, l'incorporation d'impuretés et le dépôt d'oxyde de grille.
L'Institut NEEL est un laboratoire du CNRS. Le CNRS est un établissement public à caractère scientifique et technologique. Il a pour mission d'identifier, d'effectuer ou de faire effectuer, seul ou avec ses partenaires, toutes recherches présentant un intérêt pour l'avancement de la science ainsi que pour le progrès économique, social et culturel. Internationalement reconnu pour l'excellence de ses travaux scientifiques, le CNRS est une référence aussi bien dans l'univers de la recherche et développement que pour le grand public.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
