Phd - Caractérisation L'oxyde de Cu Interfacial

**PHD - Caractérisation l'oxyde de Cu interfacial**:

- Réf
- **ABG-112848**
- Sujet de Thèse- Niveau d'expérience indifférent- 03/04/2023- CDI- Stmicroelectronics- Lieu de travail- Crolles - Auvergne-Rhône-Alpes - France- Intitulé du sujet- PHD - Caractérisation l'oxyde de Cu interfacial- Champs scientifiques- Electronique

**Description du sujet**:
Cependant, une des limitations de ces collages est le budget thermique. En effet, pour obtenir une bonne tenue mécanique, il nécessaire de recuire les collages à 400°C. Cette température peut entraîner des contraintes thermiques élevées et semble incompatible avec les dispositifs 3D avancés (dégradation des performances des DRAM ou des Quantum dots par exemple). Par conséquent, des méthodes alternatives sont étudiées pour diminuer la température de collage afin de répondre à l'exigence d'un faible budget thermique et de puces sensibles telles que CIS, MEMS, dispositifs d'imagerie avancés. Cependant, avec un recuit à basse température, l'oxyde de cuivre interfacial ne sera pas dissout à l'interface de collage avec un impact potentiel sur les performances électriques.
Pour cette thèse, 3 axes seront étudiés. Tout d'abord, une nouvelle électrodéposition de Cu sera testée afin d'atteindre une taille de grains de Cu plus faible pour faciliter la diffusion de l'oxygène. Dans un deuxième temps, l'effet de la taille du pas d'interconnexion sur la microstructure du cuivre sera étudié. Ensuite, pour ces deux points, une étude de fiabilité sera réalisée pour comprendre l'impact de la taille des grains de Cu et de l'oxyde de Cu à l'interface sur les propriétés électriques.

Cette thèse CIFRE sera en collaboration avec le CEA-Léti et un laboratoire du CNRS.

**Nature du financement**:
**Précisions sur le financement**:
**Présentation établissement et labo d'accueil**:

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