Doctorant / Doctorante (H/F)

il y a 3 semaines


Palaiseau, France CNRS Temps plein

Date Limite Candidature : jeudi 2 mars 2023

**Informations générales**:
Référence : UMR9001-CHAREN-001
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : jeudi 9 février 2023
Nom du responsable scientifique : Charles Renard
Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral
Durée du contrat : 36 mois
Date de début de la thèse : 15 mars 2023
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 2 135,00 € brut mensuel

**Description du sujet de thèse**:
L'équipe SEED du C2N a développé une stratégie innovante d'intégration des matériaux III-V sur silicium. Cette dernière est basée sur une croissance épitaxiale latérale à partir de nano-germes formés dans une couche de silice ultra-fine (moins de 2 nm d'épaisseur) recouvrant le substrat de silicium. Avec ce procédé, nous avons démontré : i) la parfaite intégration des cristaux de GaAs de tailles micrométriques dispersés sur Si sans aucun défaut structurel ou électrique préjudiciable [1,2], ii) la très bonne connexion électrique non seulement entre les microcristaux de GaAs et le Si substrat, mais aussi à travers l'empilement GaAs/SiO2/Si par effet tunnel [2].
La prochaine étape est maintenant la réalisation d'un démonstrateur de cellule photovoltaïque (PV) tandem AlGaAs/Si. Pour cela, nous avons besoin de développer un procédé technologique peu coûteux de nanostructuration ordonnée de la silice à partir de lithographie par nanosphères qui puisse être facilement étendu à une grande surface. Un tel processus garantira un très faible recours en matériau III-V sans utilisation de substrat III-V ou Ge, aidant ainsi à maintenir un faible coût.

Références:
[1] Renard C., et al., Dislocation and antiphase domain free microscale GaAs crystals grown on SiO2 from (001) Si nano-areas Applied Physics Letters, vol. 102, p. 191915, 2013

**Contexte de travail**:
**Contraintes et risques**:
Pas de contraintes particulières



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    il y a 2 semaines


    Palaiseau, France CNRS Temps plein

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    il y a 2 jours


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    Cette offre est disponible dans les langues suivantes:- Français- AnglaisDate Limite Candidature : jeudi 1 juin 2023**Informations générales**:**Intitulé de l'offre **:Doctorant (H/F) - Revêtements innovants pour les électrolyseurs d'eau à haute température pour la production de H2 par dépôt en couche atomique et DLI-CVD, IPVF/CEA**Référence :...

  • Cdd Doctorant

    il y a 4 jours


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    Cette offre est disponible dans les langues suivantes: - Français - Anglais Date Limite Candidature : mardi 9 juillet 2024 23:59:00 heure de Paris **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:CDD Doctorant (H/F) - Améliorer considérablement l'efficacité énergétique en IA grâce à l'intégration de calcul en mémoire dans des systèmes...


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    Cette offre est disponible dans les langues suivantes: Date Limite Candidature : jeudi 10 août 2023 **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:Doctorant (H/F) - Génération d'impulsions attosecondes intenses sur miroir plasma** Référence : UMR7639-STEHAE-001 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : PALAISEAU Date de publication : jeudi 20...


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    Cette offre est disponible dans les langues suivantes: Date Limite Candidature : mercredi 16 août 2023 **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:Doctorant en photonique à base de carbure de silicium (H/F)** Référence : UMR9001-DANMEL-005 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : PALAISEAU Date de publication : mercredi 26 juillet 2023 Type de...


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  • Post-doctorant (H/F)

    Il y a 2 mois


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