Post-doctorat en caractérisation chimique avancée d'hétérostructures III-V pour l'optoélectronique et les composants RF
il y a 1 semaine
Présentation du projet
Vous rejoindrez l'équipe de recherche du Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) du CNRS et du Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) du CEA, tous deux membres de l'Université Grenoble Alpes (UGA).
Le projet consiste à améliorer les procédés d'épitaxie d'hétérostructures III-V afin de garantir une forte concentration de dopants tout en minimisant les phénomènes d'inter-diffusion aux interfaces pour permettre leur intégration dans des dispositifs avancés de l'électronique et de l'optoélectronique.
Vous travaillerez sur le campus de MINATEC au CEA Grenoble, au sein du Laboratoire des Technologies de la Microélectronique (LTM) du CNRS et du Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information (LETI) du CEA, tous deux membres de l'Université Grenoble Alpes (UGA).
Le CEA-Leti et le LTM accueillent dans leurs salles blanches des équipements de croissance à l'état de l'art mondial, notamment un réacteur industriel pour la croissance MOCVD de semiconducteurs III-V.
Une partie de l'activité se déroulera sur la Plateforme de Nanocaractérisation (PFNC) du CEA-Leti, qui regroupe un ensemble d'équipements dédiés aux caractérisations physico-chimiques des matériaux.
Vous serez intégré·e aux équipes de chercheurs du pôle PROSPECT du LTM et du SMCP/LASI du CEA-Leti. Vous pourrez ainsi bénéficier de l'expertise des personnes dédiées à la croissance des semiconducteurs III-V (Expert : Franck Bassani) et des personnes dédiées à la caractérisation chimique (Experte XPS : Eugénie Martinez, Expert SIMS : Marc Veillerot).
Missions principales
Le travail portera sur l'étude de l'influence des conditions de croissance que sont principalement la température d'épitaxie et le rapport d'éléments III/V sur le taux d'incorporation des dopants et sur les phénomènes de ségrégation ou redistribution des éléments aux interfaces.
L'optimisation de ces paramètres d'épitaxie passera par la caractérisation chimique complète de ces structures. Cela nécessitera le développement d'une méthodologie d'analyses combinées par photoémission classique (XPS) et à haute énergie (HAXPES) et par spectrométrie de masse d'ions secondaires (SIMS/ToF-SIMS).
Le SIMS et le ToF-SIMS seront utilisées pour accéder directement aux profils de dopants ainsi qu'aux profils de concentration des espèces majoritaires, afin de rechercher l'inter-diffusion d'espèces (As, P) aux interfaces.
L'XPS et l'HAXPES seront mise en œuvre pour mettre en évidence l'environnement chimique des espèces détectées notamment aux interfaces critiques.
Activités principales
- Développer des méthodologies de caractérisation chimique par XPS/HAXPES et par SIMS/ToF-SIMS adaptées aux empilements complexes de semiconducteurs III-V sur les équipements de la PFNC (Quantes, ToF SIMS 5...)
- Corréler des mesures chimiques pour une caractérisation complète des structures en termes de profils de dopants et de composition des interfaces critiques.
- Proposer des amélioration des paramètres de croissance (température, ratio d'éléments III-V) et réalisation de nouvelles structures grâce au bâti MOCVD du LTM.
- Corréler des mesures chimiques aux mesures des performances électriques des dispositifs réalisées dans le cadre de la thèse d'Antoine Lombrez.
- Faire des recherches bibliographiques pour établir l'état de l'art du sujet.
- Présenter des résultats lors de réunions périodiques et de conférences nationales et internationales.
- Publier dans des revues à comité de lecture.
Compétences attendues
- Posséder de solides connaissances en physique/chimie des matériaux semiconducteurs et composants optoélectroniques.
- Avoir des capacités d'analyse et de synthèse
- Savoir valoriser le travail sous forme de publications et de conférences.
- Bonnes dispositions pour le travail expérimental
- Avoir une connaissance et une pratique des procédés de croissance des matériaux et/ou des techniques de caractérisations par ToF-SIMS et XPS serait un plus
- Posséder de très bonnes aptitudes en matière de communication (orale, écrite)
- Capacité à s'organiser
- Etre dynamique et rigoureux
- Posséder de bonnes capacités de travail en équipe.
Profil recherché: docteur en sciences des matériaux avec un très bon niveau en anglais.
Rémunération
A partir de 2480€ mensuel brut et en fonction de l'expérience.-
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