Emplois actuels liés à Nanoplaquettes de semi-conducteurs III-V - Grenoble - CEA Université Grenoble Alpes
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Stage M2
il y a 2 semaines
Grenoble, France Cea Temps pleinDescription du poste : Au sein du LETI, le laboratoire LITP dispose de moyens technologiques spécifiques en salle blanche nécessaires au traitement d'échantillons de dimensions ou de natures non standards, dans le cadre de développements de filières de procédés innovants sur matériaux II-VI et III-V, pour des dispositifs de très hautes performances...
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Stage M2
il y a 2 semaines
Grenoble, France Cea Temps pleinDescription du poste : Au sein du LETI, le laboratoire LITPdispose de moyens technologiques spécifiques en salle blanche nécessaires au traitement d'échantillons de dimensions ou de natures non standards, dans le cadre de développements de filières de procédés innovants sur matériaux II-VI et III-V, pour des dispositifs de très hautes performances...
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Stage M2
il y a 1 semaine
Grenoble, France CEA Temps pleinDescription du poste **Domaine**: - Matériaux, physique du solide **Contrat**: - Stage **Intitulé de l'offre**: - Stage M2 - Nano-tomographie FIB-SEM des défauts dans les semi-conducteurs pour l'imagerie infrarouge H/F **Sujet de stage**: - Dans ce contexte d'imagerie haute performance, la qualité des détecteurs doit être optimale. Cependant,...
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Leader Technique V&v
il y a 5 jours
Grenoble, France Elsys Design Temps plein**Imaginer et concevoir les systèmes embarqués de demain**: ELSYS Design rassemble une communauté de spécialistes en systèmes embarqués passionnés par leur métier et par les nouvelles technologies. Nous accompagnons les projets à forte valeur ajoutée de nos clients en intervenant sur l’ensemble du cycle de développement de systèmes complexes....
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Stage Bac+5
il y a 3 jours
Grenoble, France CEA Temps pleinDescription du poste **Domaine**: - Matériaux, physique du solide **Contrat**: - Stage **Intitulé de l'offre**: - Stage bac+5 - Croissance de couches minces pour les transistors du futur H/F **Sujet de stage**: - Contexte : À la pointe de la miniaturisation des technologies silicium, le CEA-Leti est un leader dans la fabrication de dispositifs...
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Grenoble, France CEA Université Grenoble Alpes Temps pleinTopic description Les semi-conducteurs III-nitrures — GaN, AlN et InN — ont révolutionné le marché de l’éclairage et pénètrent rapidement le secteur de l’électronique de puissance. Actuellement, de nouveaux composés nitrures sont explorés dans la recherche de nouvelles fonctionnalités. Dans ce contexte, le nitrure d’aluminium et de...
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Grenoble, France CEA Temps pleinDescription du poste **Domaine**: - Optique et optronique **Contrat**: - Stage **Intitulé de l'offre**: - Stage - La persistance comme moyen de caractérisation avancée d'imageurs infra-rouges refroidis H/F **Sujet de stage**: - Ce stage vise à mettre au point une nouvelle méthode de caractérisation des défauts directement sur l'imageur...
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Stage-Etudes des photodiodes à avalanche
il y a 5 jours
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un...
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Stage-Etudes des photodiodes à avalanche
il y a 6 jours
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un...
Nanoplaquettes de semi-conducteurs III-V
il y a 2 semaines
Topic description Les nanoplaquettes semi-conducteurs (NPLs) sont une classe de nanostructures bidimensionnelles qui possèdent des propriétés électroniques et optiques distinctes de celles des quantum dots sphériques (QDs). Ils présentent un confinement quantique fort dans une seule dimension, l'épaisseur, qui peut être contrôlée à la monocouche près par des méthodes de synthèse chimique en solution. De ce fait les NPLs émettent une lumière avec une largeur spectrale extrêmement étroite. En même temps, ils présentent un coefficient d’absorption très élevé. Ces propriétés en font des candidats idéals pour différentes applications (diodes électroluminescentes pour des écrans à consommation électrique réduite, photocatalyse, émetteurs à photons uniques, lasers,…). Pour l’instant seule la synthèse de NPLs de chalcogénures de métaux est maîtrisée. Ces matériaux présentent soit des éléments toxiques (CdSe, HgTe, etc.) soit une grande largeur de bande interdite (ZnS, ZnSe). Pour ces raisons le développement des méthodes de synthèse pour des NPLs de semi-conducteurs III-V, tel que l’InP, InAs et InSb présente un grand enjeu. Dans cette thèse nous développerons des nouvelles approches synthétiques pour la croissance des NPLs d’InP, explorant différentes voies et utilisant des caractérisations in situ ainsi que la méthode de plans d’expérience assistée par machine learning. Des simulations numériques seront utilisées pour déterminer la réactivité des précurseurs et pour modéliser les mécanismes induisant la croissance anisotrope.------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Colloidal semiconductor nanoplatelets (NPLs) are a class of two-dimensional nanostructures that have electronic and optical properties distinct from those of spherical quantum dots (QDs). They exhibit strong quantum confinement in a single dimension, their thickness, which can be controlled on the monolayer level using solution chemistry. As a result, NPLs emit light with an extremely narrow spectral width and at the same time, they have a very high absorption coefficients. These properties make them ideal candidates for various applications (e.g., light-emitting diodes for low-power-consumption displays, photocatalysis, single-photon emitters). At present, only the synthesis of metal chalcogenide NPLs has been mastered. These materials either contain toxic elements (CdSe, HgTe, etc.) or have a large bandgap (ZnS, ZnSe). For these reasons, the development of synthesis methods for III-V semiconductor NPLs, such as InP, InAs and InSb is currently a major challenge. In this thesis, we will develop new synthetic approaches for the growth of InP NPLs, exploring different avenues and using in situ characterizations as well as machine learning assisted design of experiments. Numerical simulations will be used to determine the reactivity of precursors and to model the mechanisms inducing anisotropic growth. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Pôle fr : Direction de la Recherche FondamentaleDépartement : Institut de Recherche Interdisciplinaire de GrenobleService : DIESEDate de début souhaitée : 01-10-Ecole doctorale : Chimie et Sciences du Vivant (EDCSV)Directeur de thèse : Reiss PeterOrganisme : CEALaboratoire : DRF/IRIG//SYMMESURL : URL : Funding category Public/private mixed funding Funding further details
