Emplois actuels liés à Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l’amélioration des performances électriques - Grenoble - CEA Université Grenoble Alpes Laboratoire de Simulation et Modélisation
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Grenoble, France Cea Temps pleinEn lien avec nos équipes d'intégration technologique et de conception, ainsi qu'avec nos partenaires académiques et industriels, vous interviendrez à la jonction entre recherche et industrie pour nous aider à mettre au point les dispositifs microélectroniques sur FDSOI aux noeuds 7 et 10 nm, qui demain seront fabriqués sur notre ligne pilote avant que...
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Grenoble, France Cea Temps pleinEn lien avec nos équipes d’intégration technologique et de conception, ainsi qu’avec nos partenaires académiques et industriels, vous interviendrez à la jonction entre recherche et industrie pour nous aider à mettre au point les dispositifs microélectroniques sur FDSOI aux nœuds 7 et 10 nm, qui demain seront fabriqués sur notre ligne pilote avant...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinEn lien avec nos équipes d'intégration technologique et de conception, ainsi qu'avec nos partenaires académiques et industriels, vous interviendrez à la jonction entre recherche et industrie pour nous aider à mettre au point les dispositifs microélectroniques sur FDSOI aux nœuds 7 et 10 nm, qui demain seront fabriqués sur notre ligne pilote avant que...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un...
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Grenoble, France Cea Temps pleinEn lien avec nos équipes d'intégration technologique et de conception, ainsi qu'avec nos partenaires académiques et industriels, vous interviendrez à la jonction entre recherche et industrie pour nous aider à mettre au point les dispositifs microélectroniques sur FDSOI aux noeuds 7 et 10 nm, qui demain seront fabriqués sur notre ligne pilote avant que...
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Grenoble, France Cea Temps pleinRejoignez-nous enStage ! CEA Tech Corporate from CEA Tech on Vimeo. En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnementde recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des...
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Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinInformations générales Entité de rattachement Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle...
Modélisation et caractérisation des transistors CFET pour l’amélioration des performances électriques
il y a 2 semaines
Topic description Les transistors CFET (Complementary Field Effect Transistors) représentent une nouvelle génération de dispositifs CMOS empilés verticalement, offrant un fort potentiel pour poursuivre la miniaturisation des circuits intégrés et répondre aux exigences du calcul haute performance. L’objectif de cette thèse est d’étudier et d’optimiser la mise en contrainte du canal de conduction afin d’accroître la mobilité des porteurs et d’améliorer les performances électriques des CFET. Le travail portera à la fois sur la modélisation numérique des procédés technologiques, réalisée par éléments finis, et sur la caractérisation expérimentale des déformations cristallines à l’aide de la microscopie électronique en transmission couplée à la diffraction électronique précessionnée (TEM-PED). La partie modélisation visera à prédire les distributions de contraintes et leur impact sur les propriétés électriques, en intégrant la complexité des empilements technologiques et des étapes critiques du procédé, telles que l’épitaxie. En parallèle, la caractérisation par TEM-PED permettra de mesurer les champs de déformation et de confronter les simulations aux observations expérimentales. L’ensemble du travail consistera à développer des outils de modélisation et des méthodologies de caractérisation adaptés à ces structures avancées, afin d’améliorer la précision spatiale, la reproductibilité et la compréhension des mécanismes de contrainte au cœur des transistors CFET.------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Complementary Field Effect Transistors (CFETs) represent a new generation of vertically stacked CMOS devices, offering a promising path to continue transistor miniaturization and to meet the requirements of high-performance computing. The objective of this PhD work is to study and optimize the strain engineering of the transistor channel in order to enhance carrier mobility and improve the overall electrical performance of CFET devices. The work will combine numerical modeling of technological processes using finite element methods with experimental characterization of crystalline deformation through transmission electron microscopy coupled with precession electron diffraction (TEM-PED). The modeling activity will focus on predicting strain distributions and their impact on electrical properties, while accurately accounting for the complexity of the technological stacks and critical fabrication steps such as epitaxy. In parallel, the experimental work will aim to quantify strain fields using TEM-PED and to compare these results with simulation outputs. This research will contribute to the development of dedicated modeling tools and advanced characterization methodologies adapted to CFET architectures, with the goal of improving spatial resolution, measurement reproducibility, and the overall understanding of strain mechanisms in next-generation transistors.------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------Pôle fr : Direction de la Recherche TechnologiquePôle en : Technological ResearchDépartement : Département Composants Silicium (LETI)Service : Service Caractérisation, Conception et SimulationLaboratoire : Laboratoire de Simulation et ModélisationDate de début souhaitée : 01-10-Ecole doctorale : Electronique, Electrotechnique, Automatique, Traitement du Signal (EEATS)Directeur de thèse : BARRAUD SylvainOrganisme : CEALaboratoire : DRT Funding category Public/private mixed funding Funding further details
