Post Doctorant

Nous recherchons notre futur/future Post doctorant/doctorante mémoire Flash SONOS. Si vous disposez d'une appétence pour la physique, la caractérisation électrique et la création de solutions innovantes, ce poste est fait pour vous. Votre activité principale vise à participer à la compréhension, caractérisation, modélisation du piégeage de charges dans une mémoire Flash SONOS particulière car composée de deux transistors dont les parties actives sont très proches. Rejoignez-nous au sein d'Université Côte d'Azur, reconnue depuis 2016 pour son excellence scientifique et pédagogique, pour créer ensemble le modèle de l'université du 21ème siècle responsable et innovante. Classiquement, on réalise un point mémoire Flash en intercalant une grille flottante entre le canal et la grille de contrôle d'un transistor MOS. L'ajout ou le retrait d'électrons dans cette grille flottante permet de mémoriser les états numériques «1» et «0». Un des problèmes de cette technologie tient à la complexité de la fabrication et de la gravure de l'empilement de grille. Une solution est de remplacer la grille flottante par une fine couche de Nitrure de Silicium (Si3N4) qui présente une très grande densité de défauts capables de piéger des électrons. Chaque piège se comporte alors comme une mini grille flottante. Concernant les transistors, le premier sert à mémoriser l'information et le deuxième sert de sélecteur. Pour comprendre la localisation des électrons piégés ou libérés le long de la couche de nitrure lors des phases de programmation (écriture et effacement) et suivre son évolution en rétention (durée de mémorisation de l'information), vos missions principales seront : - D'effectuer des caractérisations électriques sur les stations sous pointes du laboratoire. En fonction des mesures à effectuer, vous pourrez réaliser des programmes de pilotage des appareils sous environnement Labview ou python. - De réaliser des simulations TCAD (Technology Computer-Aided Design) afin d'identifier la zone d'écriture dans la couche de Si3N4 et déterminer les paramètres qui correspondent à la perte dans le temps des électrons piégés. - De compléter le modèle simplifié (sous environnement Mathcad) de cette mémoire afin d'optimiser les signaux de programmation.
- **Qualification**:Cadre
- **Profil recherché**:

- **Expérience**:3 ans
- **Compétences recherchées**:

- Faire preuve de réactivité
- Faire preuve d'autonomie
- Faire preuve de rigueur et de précision