Etude du dépôt sélectif de SiO2 par PEALD H/F

il y a 2 semaines

Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps plein


Informations générales

Entité de rattachement

Le CEA est un acteur majeur de la recherche, au service des citoyens, de l'économie et de l'Etat.

Il apporte des solutions concrètes à leurs besoins dans quatre domaines principaux : transition énergétique, transition numérique, technologies pour la médecine du futur, défense et sécurité sur un socle de recherche fondamentale. Le CEA s'engage depuis plus de 75 ans au service de la souveraineté scientifique, technologique et industrielle de la France et de l'Europe pour un présent et un avenir mieux maîtrisés et plus sûrs.

Implanté au cœur des territoires équipés de très grandes infrastructures de recherche, le CEA dispose d'un large éventail de partenaires académiques et industriels en France, en Europe et à l'international.

Les collaboratrices et collaborateurs du CEA partagent trois valeurs fondamentales :

• La conscience des responsabilités

• La coopération

• La curiosité

Référence

Description de l'unité

Laboratoire de dépôts de matériaux avancés

En nous rejoignant, vous contribuerez au développement de matériaux couches minces utilisés dans l'industrie française et européenne de demain.


Domaine

Sciences pour l'ingénieur


Contrat

Stage


Intitulé de l'offre

Etude du dépôt sélectif de SiO2 par PEALD H/F


Sujet de stage

La fabrication des dispositifs nanoélectroniques des nœuds technologiques les plus avancés nécessite des techniques de patterning innovantes . En parallèle de l'approche conventionnelle de lithographie/gravure, le dépôt sélectif localisé ou Area Selective Deposition (ASD) par dépôt de couches atomiques (ALD) pourrait permettre de simplifier leurs intégrations, comme par ex. dans le cas de transistors FDSOI avancés.


Durée du contrat (en mois)

6 mois


Description de l'offre

Rejoignez-nous en Stage  

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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Description du poste :

Pour la microélectronique du futur, le dépôt sélectif localisé ou Area Selective Deposition = ASD [1] constitue une approche prometteuse pour simplifier les schémas d'intégration des nœuds technologiques les plus avancés. Ces approches d'ASD nécessitent d'être adaptées en fonction d'un trinôme comprenant le matériau à déposer, la surface de croissance et la surface inhibée. On se propose ici d'étudier le dépôt d'oxyde de silicium (SiO2) sur Si ou SiO2 vs le nitrure de silicium (SiN) [2] qui est l'un des sujets les plus complexe en ASD  et d'évaluer l'intérêt de ce type de procédé pour la réalisation de transistors FDSOI avancés [3]. 

Pour développer ce procédé de dépôt sélectif de SiO2, différentes approches permettant de rendre le SiN inhibiteur à la croissance du SiO2 seront étudiées (traitements plasma, Small Molecular Inhibitor, combinaison des deux, …).  Le dépôt sélectif de SiO2 sera réalisé par Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD).

Ce stage de 6 mois se déroulera au CEA-LETI, dans le service de dépôt de matériaux avancés. L'étudiant aura accès aux plateformes de réalisation en salle blanche pour les dépôts de couches minces par PEALD et à la plateforme de nanocaractérisation. Des analyses de surface et caractérisations des couches minces (ellipsométrie, XRR, AFM, FTIR, angle de goutte, SEM, XPS, Tof-SIMS) permettront d'identifier la meilleure sélectivité.

Le début du stage est prévu vers Fév. 2026 avec une possibilité de continuité en thèse.

Pour aller plus loin:

[1]
[2]
[3]

Mots clés :

Stage M2 6 mois ; Microélectronique ; Matériau couche mince ; ALD ; Sélectivité, ASD ; Nanocaractérisation


Moyens / Méthodes / Logiciels

Plateformes technologiques de réalisation et de nanocaractérisation


Profil du candidat

Qu'attendons-nous de vous ?

Vous préparez un diplôme de niveau Master2 ou école d'ingénieur en Matériaux / Microélectronique / Physique – Chimie

Vous êtes force de proposition et faites preuve d'esprit de synthèse, d'autonomie, de rigueur ainsi que d'esprit d'équipe.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles 


Site

Grenoble


Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)


Ville


Grenoble

Critères candidat
Langues

Anglais (Courant)


Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2


Formation recommandée

Ecole d'ingénieur ou Master 2


Possibilité de poursuite en thèse

Oui


Disponibilité du poste

02/02/2026

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