STAGE R&D

Chez STMicroelectronics, nous sommes convaincus que la technologie est un moteur d'innovation et a un impact positif pour les entreprises, les personnes et la société.

En tant qu'acteur mondial des semiconducteurs, nos technologies de pointe et nos composants électroniques sont invisibles mais au cœur du monde d'aujourd'hui.

Rejoindre ST, c'est intégrer une entreprise internationale riche de plus de 115 nationalités, présente dans 40 pays, et rassemblant plus de talents passionnés et engagés, tous unis par la volonté de créer et d'inventer la technologie de demain.

Innover demande bien plus que des compétences techniques : cela nécessite des personnes inspirantes, qui savent collaborer avec respect et enthousiasme. Des collaborateurs animés par la passion, prêts à remettre en question le statu quo, à faire avancer l'innovation et à révéler leur plein potentiel.

Venez vivre cette aventure avec nous et contribuez à construire un futur plus intelligent et plus durable, en alliant responsabilité et innovation.

Notre technologie commence avec vous.

L'utilisation de composants électroniques dans l'espace (satellites, fusées) les expose à un rayonnement différent de celui observé sur terre. En particulier, les composants sont susceptibles d'être traversés par des ions de très forte énergie (jusqu'à plusieurs dizaines de GeV). L'interaction ion/matière est principalement due à l'interaction avec les électrons et se traduit par la génération de paires électrons-trous. En l'absence de polarisation, les paires électrons trous se recombinent localement sans occasionner de dommages au composant. En revanche, sous polarisation, les porteurs générés dans la zone de charge d'espace sont séparés par le champ électrique et conduisent à une modification de la répartition de ce champ associée à la nouvelle distribution des charges dans la structure (équation de Poisson). Selon les paramètres de la structure, la

polarisation initiale et la quantité de paires électrons-trous générée par le passage de l'ion, l'évolution du champ dans la structure peut conduire à des phénomènes d'ionisation par impact générant de nouvelles paires électrons-trous. Celles-ci sont alors susceptibles d'accroitre encore le phénomène d'ionisation par impact, conduisant à un emballement du nombre de porteurs générés, donc du courant et de la puissance dissipée induisant in fine une élévation catastrophique de la température. Ce mode de destruction est dénommé SEB (single event burnout) dans la littérature scientifique. Pour évaluer la robustesse des composants, des essais d'irradiation aux ions lourds sont conduits en laboratoire. Il existe quelques laboratoires en Europe (Caen en France et Louvain en Belgique) qui disposent de cyclotrons pour la réalisation des essais. La mise en oeuvre de ces essais est assez longue et très coûteuse. Dans ce cadre, la simulation par éléments finis des phénomènes physiques présents lors de l'irradiation aux

ions lourds est un outil précieux. En technologie silicium, les tests de robustesse sur les diodes développées sans précautions particulières pour la tenue aux ions lourds ont montré des bons résultats : on peut utiliser de façon sûre la plupart des diodes dans des applications spatiales en limitant la tension appliquée au composant à 50% de la tension spécifiée pour une application terrestre. En technologie SiC, en revanche, les composants également définis sans prendre en compte la tenue aux ions lourds ne tiennent pas ce niveau de tension, ce qui les exclut des applications spatiales. L'amélioration de la robustesse des diodes SiC est donc cruciale.

Dans ce contexte, un stage de 6 mois est proposé avec les attendus suivants :

• Mise à jour de la bibliographie sur les SEB en recherchant particulièrement :
• Les mécanismes physiques présentés,
• Les conditions de simulation considérées,
• Les contributions des différents paramètres structuraux et leur impact dans l'apparition des

SEB.

• Préparation d'un dossier de simulation du passage d'un ion lourd dans une diode en SiC dans le

Logiciel Sdevice De La Suite Sentaurus (Synopsys)

• Définition de la structure à simuler (dimension, maillage),
• Définition du fichier de commande (implémentation du module ions lourds, modèles

physiques à prendre en compte, pas de résolution temporelle à utiliser),

• Définition des paramètres associés aux modèles pertinents,
• Validation des conditions de simulation par la reproduction de résultats publiés dans la

littérature.

• Réalisation de simulations de structures actuelles et modifiées (sur la base des propositions identifiées

dans la littérature) à partir du dossier précédent pour :

• Identifier les régions à faible tenue,
• Evaluer l'apport des modifications sur la robustesse.

La technique mise en oeuvre est la simulation par éléments finis. La méthode des plans d'expériences sera

utilisée autant que possible.

A propos de vous

• Niveau Master 2 / école d'ingénieur
• Physique du semi-conducteur, nanotechnologie, physique des matériaux
• Curiosité, rigueur, dynamisme

ST est fière d'être certifiée parmi les 17 entreprises mondiales « Global Top Employers 2025 » et d'être la première et unique entreprise de semi-conducteurs à recevoir cette distinction. ST a été distinguée dans ce classement grâce à sa démarche d'amélioration continue, se démarquant notamment par son engagement en matière d'éthique et d'intégrité, de sens et de valeurs, d'organisation et de gestion du changement, ainsi que par sa stratégie commerciale et ses performances. En France, ST a également obtenu la labélisation Happy Trainee 2025.

Nous cultivons un environnement de travail inclusif et diversifié, où la discrimination n'a pas sa place. Notre ambition est de recruter et de fidéliser des talents reflétant la richesse des sociétés dans lesquelles nous évoluons.

Nous nous engageons à l'équité dans le développement des carrières, les opportunités professionnelles et la rémunération.

Chez ST, nous encourageons les candidats qui ne remplissent pas forcément tous les critères à postuler, car nous croyons en la richesse des parcours variés et offrons de réelles opportunités d'apprentissage et d'évolution. La diversité, l'équité et l'inclusion sont des valeurs fondamentales qui façonnent notre culture d'entreprise.

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