Poste CDD Post-doctorant(e) de recherche pour l’étude par microscopie électronique à transmission de GaN haute puissance(H/F)

Il y a 2 mois


Toulouse, France CNRS Temps plein

Informations générales

Intitulé de l'offre : Poste CDD Post-doctorant(e) de recherche pour l’étude par microscopie électronique à transmission de GaN haute puissance(H/F)
Référence : UPR8011-SOPMEU-004
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : TOULOUSE
Date de publication : mardi 23 juillet 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 24 mois
Date d'embauche prévue : 1 novembre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2991 et 4166€ brut mensuel selon expérience
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Matière condensée : organisation et dynamique

Missions

Dans le cadre de ce projet le ou la candidat(e) cherchera à étudier par cathodoluminescence résolue en temps et holographie électronique hors axe le lien entre défauts structuraux et propriétés des porteurs de charges.

Activités

Le ou la candidate sera responsable des expériences de cathodoluminescence résolue en temps, ce qui permettra d’étudier le temps de vie des porteurs de charge et les dislocations. Ces expériences seront fait sur un microscope électronique à transmission ultrarapide équipé d’un miroir parabolique pour la collection efficace de la lumière. Il ou elle sera aussi responsable des expériences d’holographie électronique hors axe sous injection de courant pour étudier l’accumulation des porteurs de charges aux interfaces et aux niveaux des dislocations.

Compétences

Le ou la candidate doit avoir une solide expérience en :
-Microscopie électronique à transmission et de au moins une des techniques de spectroscopie associés (EELS, EDX,
-Des connaissances solides en science des matériaux
-Une expertise en analyses de données

Contexte de travail

Le poste s’inscrit dans le cadre du projet européen AddMorePower qui vise à étudier le GaN comme matériaux pour l’électronique de haute puissance. Plus particulièrement, le projet cherche à développer de nouveaux outils pour caractériser l’électronique à base de GaN. En effet, il manque toujours une méthode permettant de lier défaut structurel et problème de fonctionnement ou vieillissement des structures.

Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.



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