Fabrication de Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction THz sur substrat InP H/F
il y a 1 mois
Informations générales
Intitulé de l'offre : Fabrication de Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction THz sur substrat InP H/F
Référence : UMR8520-NORBEN-016
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VILLENEUVE D ASCQ
Date de publication : samedi 16 novembre 2024
Type de contrat : Chercheur en contrat CDD
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2025
Quotité de travail : Complet
Rémunération : Entre 3021,50 € et 3451,50 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'études souhaité : Doctorat
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : 8 - Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique
Missions
La mission du candidat chercheur CDD consistera à fabriquer des dispositifs à semi-conducteur dans la centrale de Micro-Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il y est question de la fabrication de Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction (DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz. Un volet caractérisation fera également partie de la mission. Il s'agira de caractérisation très hautes fréquences et de puissance à 94 GHz et dans la bande 200-300 GHz.
Activités
Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication du Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction (DHBT) et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés. L'objectif est de fabriquer et caractériser des transistors DHBT dont les fréquences de coupure se trouve dans le domaine THz.
Compétences
Le candidat doit être titulaire d'une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz. Un savoir faire en rapport à la fabrication de composant III-V serait appréciable.
Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs.
Les compétences attendues sont :
- Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
- Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
- Lithographie optique et électronique
- Gravure humide, Gravure sèche RIE, ICP,…
- Traitement de surface
- Dépôt de métaux et diélectrique...
Des compétences dans le domaines de la caractérisation hyperfréquence serait un plus :
- Caractérisation des composants hyper fréquence III-V
- Caractérisation DC et hyper fréquence de 0.5 à 750 GHz
- Caractérisation Load-pull à 94 GHz
Contexte de travail
Les travaux seront menés au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN qui est spécialisé, en autre, sur la réalisation et la caractérisation de composant très haute fréquence. Les applications THz est l'une des spécialité du groupe.
L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN..
L'IEMN est une Unité Mixte de Recherche associant le CNRS, l'Université de Lille, l'Université Polytechnique Hauts-de-France, Centrale Lille et l'ISEN JUNIA. Ses équipements de conception, fabrication et caractérisation de dispositifs se situent au meilleur niveau européen. L'institut regroupe environ 230 permanents (professeurs, chercheurs, ingénieurs et personnels administratifs) et environ 150 doctorants. Les recherches menées à l'IEMN couvrent un vaste domaine allant de la physique des matériaux et des nanostructures aux systèmes de télécommunications et à l'instrumentation acoustique et micro-ondes..
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
Contraintes et risques
Salle blanche.
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Fabrication de Transistor Bipolaire à Double
il y a 1 mois
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Post Doc Analyse Des Vibrations de Protéines
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Chef D'équipe Fabrication
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