CIFRE - Caractérisation large échelle de motifs Photoniques courbes pour les masques avancés M/F
il y a 4 semaines
Job description
La photonique intégrée sur silicium, qui consiste à utiliser les procédés de fabrication de l’industrie microélectronique pour réaliser des composants photoniques, est considérée comme une technologie d’avenir critique pour les applications de communications et de calcul à très haute vitesse.
La réalisation de dispositifs Photonique sur silicium nécessite la manipulation de designs intégralement courbes (dits non-Manhattan). Ceci donne lieu à de nombreux challenges lors de leur fabrication, et tout particulièrement lors de l'étape de conception des masques avancés de photolithographie. Afin de déterminer les masques optimaux, des algorithmes de compensation d'effets optiques (OPC) sont systématiquement appliqués. Ces derniers sont particulièrement délicats à mettre en oeuvre dans le cas particulier de motifs curvilinéaires.
La précision avec laquelle les modèles OPC sont capables d'anticiper les performances d'impression des motifs peut être évaluée à l'aide de CD-SEM sur des structures spécifiques simples, de taille réduite, selon une unique orientation. Or, les dispositifs Photoniques (par exemple, les guides d'ondes) sont continus, faisant jusqu'à quelques millimètres de long, et couvrent toutes les orientations de l'espace. Une métrologie élargie et précise de tels objets n'existe pas, rendant impossible pour les ingénieurs OPC le diagnostic sur produit de la qualit de réalisation des dispositifs.
L'objectif de la thèse est de mettre au point une méthode de mesure dimensionelle précise, à large échelle, des structures Photonique. On cherchera notamment à mettre en oeuvre des solutions d'abuttement (stitching) d'images SEM, d'extraction de contours, avec le développement de métriques dédiées. La thèse propose notamment :
- l'étude de solutions métrologiques et scriptées pour permettre la caractérisation par CD-SEM à large échelle, typiquement en combinant plusieurs images.
- la mise en place d'extraction de contours de motifs courbes sur des images recombinées.
- le développement et la mise en place de métriques 2D innovantes pour permettre la mesure d'objets courbes, puis leur comparaison entre eux (ou avec une référence).
- l'inclusion des contours réels large échelle dans les logiciels de simulations optiques (Lumerical, FDTD) pour caractériser les performances réelles des dispositifs.
La thèse se déroulera pour 3 ans entre le site de STMicroelectronics (Crolles) et celui du CEA-LETI (Grenoble), dans un contexte de forte collaboration entre les équipes des deux organismes.
Vous aurez accès aux salles blanches et à des équipements industriels et/ou de recherche à l'état de l'art mondial, ainsi qu'à des logiciels commerciaux de référence. Vous bénéficierez de toute l'expertise technique des équipes encadrantes à STMicroelectronics et au CEA-LETI à propos de la photolithographie, de la métrologie, du traitement d'images et du développement informatique appliqué (Python).
Profile
En possession d'un diplôme d'Ingénieur et/ou d'un Master (Bac+5) en Physique / Optique Appliqué (semiconducteurs, microélectronique, photonique, optique intégrée), vous avez acquis au cours de votre cursus, ou de vos expériences passées, des compétences pratiques et/ou théoriques en Traitement d'Images, Traitement de Données, et/ou Mathématiques appliqués. Des connaissances en Métrologie ou sur les méthodes de caractérisation seront un plus appréciables.
Une première expérience de programmation en langage Python (ou autre langage de programmation orienté object) sera un avantage certain qui vous aidera à imaginer puis développer des solutions sur mesure pour ce projet innovant de Recherche & Développement. A ce titre, vous pourrez vous appuyer sur un environnement riche de co-développement informatique Python (PyCharm, SVN).
Dynamique et curieux avec l'envie de découvrir de nouveaux sujets, vous avez un véritable intérêt pour l'innovation. Vous êtes capable d'imaginer des solutions créatives face à des problématiques techniques, et appréciez travailler dans un cadre collaboratif. Le travail d'équipe et un bon relationnel sont des qualités essentielles et recherchées dans le cadre de cette thèse.
Position location
Job location
Europe, France, Crolles
Candidate criteria
Education level required
5 - Master degree
Experience level required
Less than 2 years
Languages
French (2- Business fluent) English (2- Business fluent)
Requester
Desired start date
01/12/2023
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STAGE - Influence variabilité masque sur motifs lithographie M/F
il y a 4 semaines
Crolles, France STMicroelectronics Temps pleinJob description POURQUOI NOUS REJOINDRE Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à...
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il y a 4 jours
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il y a 4 jours
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CIFRE - Caractérisation et étude du gettering sur silicium M/F
il y a 3 semaines
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CIFRE - Caractérisation d'une mémoire 3D à changement de phase M/F
il y a 4 semaines
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il y a 1 jour
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CDI - Ingénieur Préparation de données Masques M/F
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CIFRE: Advanced Research M/F
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CIFRE - Characterization & Modeling M/F
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ALTERNANCE - Ingénieure/Ingénieur laboratoire caractérisation M/F
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CDI - Ingénieur Conception Analogique M/F
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STAGE – Caractérisation et modélisation d'un capteur d'image 3D M/F
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CIFRE - Modélisation des Stochastiques en photolithographie M/F
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