CDD chercheur
il y a 3 semaines
Informations générales
Intitulé de l'offre : CDD chercheur : Caractérisation par diffraction des rayons X d’alliages nitrures pour la réalisation de µLEDs H/F
Référence : UMR7073-MICPEF-073
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : VALBONNE
Date de publication : jeudi 6 juin 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : 3021,50€ pour expérience inférieure à 2 ans
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique
Missions
La mission principale est la mesure et l’analyse de données de diffraction des rayons X de matériaux en couches minces épitaxiées. Le/La candidat(e) sera également impliqué(é) dans la fabrication et la caractérisation optique de couches InGaN porosifiée par sublimation.
Activités
Le/La candidat(e) sera impliqué(e) dans la croissance de couche InGaN par épitaxie en phase vapeur d’organo- métalliques. Le/La candidat(e) réalisera la caractérisation optique de ces couches par photoluminescence. Il/elle sera fortement impliqué(e) dans la caractérisation structurale par diffraction des rayons X, d’une part au sein du laboratoire CRHEA mais aussi en participant à des expériences menées au synchrotron européen. L’analyse de ces mesures de diffraction des rayons X nécessite une maitrise de la programmation sous Python. Une expérience en diffraction des rayons X est indispensable, une expérience en rayonnement synchrotron serait un plus.
Compétences
- Forte motivation
- Bonne capacité à travailler en équipe
- Solides connaissances en physique des matériaux
- Expérience en diffraction des rayons X
- Programmation sous Python
- Expérience en synchrotron
Contexte de travail
Le CRHEA-CNRS est un laboratoire leader en France et en Europe pour l'épitaxie des matériaux à large bande interdite GaN, SiC et ZnO. Le CRHEA dispose également d'un très large panel d'équipements de caractérisations structurales, optiques et électriques permettant une analyse complète des matériaux mais aussi de composants électroniques et optoélectroniques. Ce projet financé par l’Agence Nationale de la Recherche française bénéficie de la collaboration entre trois laboratoires, le CRHEA à Sophia-Antipolis, le LETI-CEA à Grenoble, et l’Institut Pascal de l’Université Clermont Auvergne. Ce projet est aussi en partenariat avec la société Nelumbo Digital et le synchrotron européen à Grenoble. Le projet REIDI vise à développer une structure micro-LED purement InGaN émettant dans le rouge, à partir d’un pseudo-substrat InGaN relaxé. Trois solutions innovantes sont explorées pour réaliser ce pseudo-substrat. La caractérisation structurale de ces couches InGaN est fondamentale pour mener à bien ce projet. La diffraction des rayons X, méthode non destructive, permet de déterminer l’état de contrainte de ces couches, leur composition ainsi que d’estimer leur qualité cristalline.
Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.
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