CDD ingénieur de recherche en microélectronique

il y a 3 semaines


Grenoble, France CNRS Temps plein

Informations générales

Intitulé de l'offre : CDD ingénieur de recherche en microélectronique (H/F) : Caractérisations physico-chimiques et structurales de semiconducteurs III-As épitaxiés sur une plateforme silicium
Référence : UMR5129-MARCLO-081
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : GRENOBLE
Date de publication : vendredi 24 mai 2024
Type de contrat : CDD Technique/Administratif
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 octobre 2024
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 2782€ bruts et 3142€
Niveau d'études souhaité : Niveau 7 - (Bac+5 et plus)
Expérience souhaitée : Indifférent
BAP : Sciences chimiques et Sciences des matériaux
Emploi type : Ingénieur-e de recherche en science des matériaux / caractérisation

Missions

L’intégration de matériaux semi-conducteurs III-V sur une plateforme technologique Si constitue un défi majeur pour les prochaines années dans le monde de la microélectronique. Ces matériaux, de par leur bande interdite directe, offre la possibilité de réaliser des sources de lumière allant du visible à l’infra-rouge lointain (et ultra-violet pour la famille III-N). Ces composants sont actuellement réalisés en épitaxie sur des substrats de GaAs, d’InP ou de GaSb. Une voie plus exploratoire consiste à faire croitre directement la structure d’intérêt sur un substrat de silicium, ce qui présente, entre autre, comme intérêt de se passer du substrat III-V et de travailler directement sur des substrats Si compatibles avec l’industrie CMOS. Certains éléments de la colonne III et V étant considérés comme critiques (Sb, P, In, Ga notamment), cela permet également de limiter leur consommation.
Parmi les dispositifs optoélectroniques ou radiofréquences ces composants sont actuellement fabriqués en utilisant la filière InP/InGaAs sur des substrats InP de petites dimensions. Un challenge important est de développer des solutions technologiques permettant de faire croitre ces matériaux directement sur des substrats Silicium de grande dimension compatibles avec l’industrie CMOS.

Dans ce contexte, la mission consiste à caractériser les propriétés des semiconducteurs III-V après épitaxie et de reboucler avec les personnes en charge de la croissance afin d’optimiser la qualité des couches . Le(la) candidat(e) s’attachera à mener un ensemble de caractérisations physico-chimiques (AFM, MEB, Raman, PL, STEM, …) et interagira avec les experts de croissance.

Activités

- Connaissance de procédés technologiques en salle blanche (dépôt, lithographie, gravure)
- Maitrise des techniques de caractérisation AFM, MEB, Raman, PL, STEM….
- Analyse des résultats

Compétences

- Connaissances théoriques
o Physique/chimie/sciences des matériaux
o Anglais parlé et écrit
- Savoir-faire opérationnels
o Procédés technologiques en salle blanche
o Micro/nano fabrication
o Caractérisation physico-chimiques
- Savoir-être
o Qualité relationnelle (travail en équipe)
o Etre capable de respecter les consignes (travail dans un environnement CEA avec le nécessité de pouvoir appliquer la règlementation du CEA et du CNRS)

Contexte de travail

Le LTM est une unité mixte de recherche CNRS/Université Grenoble Alpes, comportant 2 pôles de recherche pour un total d’environ 90 personnes. Le laboratoire est situé le site du CEA-LETI à Grenoble.
La personne recrutée exercera ses fonctions au sein de l'équipe « Nanomatériaux & Intégration », et travaillera en collaboration avec les autres membres de cette équipe ainsi que le personnel du CEA-Leti.

Contraintes et risques

Aucun



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