These Cifre: Formation de Films Ultra-fins de
il y a 3 semaines
Position description
**Posting title**:
- These CIFRE: Formation de films ultra-fins de disiliciure de Co à basses temperatures M/F
**Regular/Temporary**:
- Temporary
**Contract duration (nb of months)**:
- 36
**Job description**:
- L’objectif de cette thèse est de réaliser des couches très fines de siliciures de Co (entre 10 et 18 nm) qui présentent les propriétés suivantes:
- Une résistivité proche de 30 µOhm.cm.
- Une hetero-epitaxy avec le substrat de Si monocristallin pour diffèrent dopages (P+ et N+).
- Une température de Curie supérieure à 1.3 K et idéalement supérieure à 4K.
- Une température de formation inférieure à 500 °C et idéalement inférieure à 400 °C.
L’une des approches innovantes pour démontrer la faisabilité d’une intégration d’un siliciure de Cobalt performant pour des filières industrielles 65 nm et en deçà, est basée sur la pré-amorphisation par implantation ce qui permet de former ce type de siliciure à plus basse températures. Une étude complète sur 4 types de substrats sera ainsi lancée durant cette thèse. Co. De plus de récent résultats on démontrait que certaines couches intermédiaires permettaient de former le disiliciure de Co en hetero-epitaxie sur un substrat de Si (100), ce qui est fortement souhaitable pour les futures technologies. Enfin, nous nous proposons d’étudier de nouveaux recuits appliqués lors de la formation des siliciures de Co, comme par exemple des recuits laser.
- Pour ce faire, la thèse se déroulera au sein du laboratoire IM2NP à Marseille (Campus Saint Jérôme) qui mettra à disposition les équipements de caractérisations comme la sonde atomique tomographique, le microscope électronique à balayage, les caractérisations par rayons X et les mesures de résistivité. De manière précise, les échantillons seront réalisés à ST Crolles, à ST Rousset ou au laboratoire IM2NP où l’étudiant(e) sera formé(e) aux techniques de dépôts sous vide, de recuits et aux différentes techniques de caractérisations citées ci-dessus.
**Profile**:
- Vous bénéficierez d'une formation pluridisciplinaire très complète durant la thèse et notamment une connaissance aigüe des méthodes de caractérisations de pointe.
- La direction de cette thèse sera assurée par Dominique Mangelinck, directeur de recherche au CNRS et co-encadrée par Magali Grégoire à STMicroelectronics (Crolles) ainsi que Pascal Fornara (Rousset).
Position location
**Job location**:
- Europe, France, Crolles
**Education level required**:
- 5 - Master degree
**Experience level required**:
- Less than 2 years
**Languages**:
- English (2- Business fluent)
Requester
**Desired start date**:
- 09/10/2023
-
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il y a 5 jours
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il y a 4 semaines
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CIFRE: Advanced Research M/F
il y a 4 semaines
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il y a 4 semaines
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CIFRE - Advanced Research M/F
il y a 4 semaines
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CIFRE - Simulation contraintes résiduelles circuits intégrés M/F
il y a 4 semaines
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il y a 3 semaines
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CIFRE - Characterization & Modeling M/F
il y a 4 semaines
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