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Développement Et Caractérisation de Transistor en
Il y a 2 mois
Chez DIAMFAB nous synthétisons du diamant pour l’industrie du semi-conducteur. Nos produits seront au cœur de la transition énergétique grâce à des performances électriques supérieures, une efficacité record et une forte compacité. De la voiture électrique jusqu’au futur réseau haute tension en passant par les avions hybrides ou les batteries pour les objets connectés, le diamant sera le passage obligé pour l’électrification de notre société.
Le savoir-faire de la start-up DIAMFAB repose sur près de 30 ans de travaux de recherche menés au CNRS sur la synthèse du diamant. Actuellement en phase de transfert technologique, nous développons des démonstrateurs de notre technologie sous forme de prototypes de composants électroniques et préparons le lancement de notre ligne pilote. Fondée en 2019, DIAMFAB est installée à Grenoble. DIAMFAB c’est avant tout une équipe jeune et dynamique (11 collaborateurs) qui place la bonne ambiance de travail au cœur de ses valeurs pour relever les challenges qu’elle s’est fixée. Nous pratiquons un management collaboratif (méthode Agile) afin que chacun puisse prendre part au projet de l’entreprise.
**Mission**
Afin de valoriser son savoir-faire et ses épitaxies de couche de diamant, l’équipe R&D de DIAMFAB travaille à l’élaboration des composants pour l’électronique de puissance. Une étape importante dans la réalisation de ces composants est la terminaison de surface des couches de diamant. En effet, la terminaison aura un effet sur les caractéristiques électriques de nos futures composant. Durant cette l’alternance nous proposons d’étudier différentes terminaisons de surface du diamant (O, H et OH). Mais également de travailler sur la caractérisation électrique des transistors à effet de champ en diamant.
Les missions de l’apprenti seront:
- Réaliser et caractériser les différentes terminaisons de surface
- Traiter, analyser et présenter les données collectées
- Caractériser électriquement les transistors fabriqués par l’équipe R&D (courant-tension, capacité-tension, mesure en température)
- Rédiger compte-rendu et proposer des améliorations des procédés
**Profil**
L’apprenti.e prépare un diplôme de niveau bac +5 (Master 2, école d’ingénieur) en lien avec les nano-sciences, les nano-technologies, les technologies des semi-conducteurs, la science des matériaux ou tout domaines connexes.
L’apprenti.e devra être rigoureux et organisé mais aussi et surtout capable de vite et bien s’intégrer dans une petite équipe multi-disciplinaire et participer activement à la vie de l’entreprise.
**Information**
Démarrage en septembre 2023
Lieu : Grenoble
Type d'emploi : Temps plein, Alternance
Exigences linguistiques flexibles:
- Français non requis
Programmation:
- Du lundi au vendredi
- Travail en journée
Lieu du poste : En présentiel
Date de début prévue : 04/09/2023
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Grenoble, France CNRS Temps pleinInformations générales Intitulé de l'offre : Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium (H/F) Référence : UPR2940-FLOPOI-121 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : GRENOBLE Date de publication : lundi 6 mai 2024 Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral Durée du contrat : 36 mois Date de début de la thèse : 1...
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Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium
il y a 2 semaines
Grenoble, France CNRS Temps pleinInformations générales Intitulé de l'offre : Doctorat: fabrication de transistors de puissance en oxyde de gallium (H/F) Référence : UPR2940-FLOPOI-121 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : GRENOBLE Date de publication : lundi 6 mai 2024 Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral Durée du contrat : 36 mois Date de début de la thèse : 1...
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Ingénieur Caractérisation Radiofréquence
il y a 2 semaines
GRENOBLE, France CEA Temps pleinL'arrivée de la 5G et bientôt la 6G impose des nouveaux défis aux performances des appareils Radiofréquence (RF) tels que le fonctionnement à des fréquences d'ondes millimétriques et des contraintes sévères sur la linéarité pour éviter la pollution spectrale dans les porteuses adjacentes. En outre, les performances et la fiabilité des...
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Ingénieur caractérisation électronique
Il y a 2 mois
Grenoble, France Wise-integration Temps pleinIngénieur(e) Caractérisation électroniqueGrenoble (38)L’entreprise :Humia est le cabinet de recrutement qui accompagne les entreprises qui ont de multiples postes ouverts sur tout le territoire français.Notre recherche concerne notre client WISE-INTEGRATION.Wise intégration, spin-off du CEA-LETI fondée en 2020, est une start-up française...
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Ingénieur caractérisation électronique
il y a 2 semaines
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Ingénieur Caractérisation Radiofréquence
il y a 2 semaines
GRENOBLE, 38000, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinL'arrivée de la 5G et bientôt la 6G impose des nouveaux défis aux performances des appareils Radiofréquence (RF) tels que le fonctionnement à des fréquences d'ondes millimétriques et des contraintes sévères sur la linéarité pour éviter la pollution spectrale dans les porteuses adjacentes. En outre, les performances et la fiabilité des...
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Ingénieur caractérisation radiofréquence
il y a 1 mois
Grenoble, France CEA Temps pleinDescription de l'offre L'arrivée de la 5G et bientôt la 6G impose des nouveaux défis aux performances des appareils Radiofréquence (RF) tels que le fonctionnement à des fréquences d'ondes millimétriques et des contraintes sévères sur la linéarité pour éviter la pollution spectrale dans les porteuses adjacentes. En outre, les performances et...
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Ingénieur caractérisation radiofréquence
il y a 2 semaines
Grenoble, France CEA Temps pleinDescription de l'offre L'arrivée de la 5G et bientôt la 6G impose des nouveaux défis aux performances des appareils Radiofréquence (RF) tels que le fonctionnement à des fréquences d'ondes millimétriques et des contraintes sévères sur la linéarité pour éviter la pollution spectrale dans les porteuses adjacentes. En outre, les performances et...
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GRENOBLE, France CEA Temps pleinLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de lignes pilotes de fabrication....
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Grenoble, France CEA Temps pleinDescription de l'offre Le CEA Leti est un institut à la pointe sur le développement de technologies mémoires non-volatiles émergentes. Parmi ces développements le transistor à effet de champ ferroélectrique (FeFET) permet de combiner les opérations logiques et de mémoire dans le même dispositif. Le Laboratoire de Caractérisation...
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GRENOBLE, 38000, Auvergne-Rhône-Alpes, France CEA Temps pleinLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de lignes pilotes de fabrication....
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Caractérisation Et Réduction Des Dislocations
Il y a 2 mois
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Ingénieur caractérisation électronique
il y a 1 mois
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Ingénieur caractérisation électronique
il y a 1 mois
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Post-doctorat - Caractérisation Du Bruit à Basse
il y a 1 semaine
Grenoble, France CNRS Temps pleinCette offre est disponible dans les langues suivantes: - Français - Anglais Date Limite Candidature : vendredi 8 mars 2024 **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:Post-doctorat - Caractérisation du bruit à basse fréquence et à basse température des photodétecteurs infrarouges HgCdTe - (H/F)** Référence : UMR5130-DALALO-018 Nombre...
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GRENOBLE, France CEA Temps pleinLe Laboratoire de Simulation et de Modélisation a pour mission d'accompagner le développement des technologies du Leti avec un coeur d'activités centré sur les dispositifs de type transistor, cellule mémoire et interconnexion. En amont de la phase de support aux développements technologiques, le laboratoire est acteur de l'optimisation des...
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CDD chercheur en Microélectronique
il y a 3 semaines
Grenoble, France CNRS Temps pleinInformations générales Intitulé de l'offre : CDD chercheur en Microélectronique (H/F) : Développement des oxydes alternatifs et des procédés technologiques pour l’électronique de puissance Référence : UMR5129-MARCLO-083 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : GRENOBLE Date de publication : mercredi 29 mai 2024 Type de contrat : CDD...
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CDD chercheur en Microélectronique
il y a 2 semaines
Grenoble, France CNRS Temps pleinInformations générales Intitulé de l'offre : CDD chercheur en Microélectronique (H/F) : Développement des oxydes alternatifs et des procédés technologiques pour l’électronique de puissance Référence : UMR5129-MARCLO-083 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : GRENOBLE Date de publication : mercredi 29 mai 2024 Type de contrat : CDD...
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Ingénieur Caractérisation Electrique de composants pour la Puissance
il y a 3 semaines
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France Cea Temps pleinLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de lignes pilotes de fabrication....
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Ingénieur Caractérisation Electrique de composants pour la Puissance
il y a 2 semaines
Grenoble, Auvergne-Rhône-Alpes, France Cea Temps pleinLe marché des composants de puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) et de Carbure de Silicium (SiC) est en pleine croissance. Le CEA Leti est fortement impliqué dans le développement des futures générations de ces types de composants en supportant des acteurs industriels majeurs du domaine dans la mise en place de lignes pilotes de fabrication....