Ingénieur en Micro-Nano Fabrication
il y a 2 semaines
Informations Générales
Titre de l'Offre : Fabrication de Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction THz sur Substrat InP H/F
Référence : UMR8520-MOHZAK-009
Nombre de Postes : 1
Lieu de Travail : VILLENEUVE D'ASCQ
Type de Contrat : CDD Scientifique
Durée du Contrat : 12 mois
Date d'Embauche Prévue : 1 septembre 2024
Quotité de Travail : Temps Complet
Rémunération : Entre 3021,50 € et 3451,50 € bruts mensuels selon expérience
Niveau d'Études Souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience Souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et Nanotechnologies, Micro et Nanosystèmes, Photonique, Électronique, Électromagnétisme, Énergie Électrique
Missions
Le candidat chercheur CDD sera chargé de la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs dans la centrale de Micro-Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il s'agira de la fabrication de Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction (DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz. Un volet caractérisation fera également partie de la mission. Il s'agira de caractérisation très hautes fréquences et de puissance à 94 GHz et dans la bande GHz.
Activités
Sur une base existante, l'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication du Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction (DHBT) et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés. L'objectif est de fabriquer et caractériser des transistors DHBT dont les fréquences de coupure se trouvent dans le domaine THz.
Compétences
Le candidat doit être titulaire d'une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz. Un savoir-faire en rapport à la fabrication de composant III-V serait appréciable. Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs. Les compétences attendues sont :
- Connaissance de la physique des semi-conducteurs et de leurs applications
- Connaissance des techniques de fabrication en salle blanche
- Lithographie optique et électronique
- Gravure humide, Gravure sèche RIE, ICP,...
- Traitement de surface
- Dépôt de métaux et diélectrique...
Des compétences dans le domaine de la caractérisation hyperfréquence serait un plus :
- Caractérisation des composants hyperfréquence III-V
- Caractérisation DC et hyperfréquence de 0,5 à 750 GHz
- Caractérisation Load-pull à 94 GHz
Contexte de Travail
Les travaux seront menés au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN qui est spécialisé, en autre, sur la réalisation et la caractérisation de composant très haute fréquence. Les applications THz est l'une des spécialités du groupe. L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN...
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Ingénieur en Micro-Nano Fabrication
il y a 3 semaines
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