Ingénieur en Micro-Nano Fabrication
il y a 3 semaines
Informations Générales
Titre de l'Offre : Fabrication de Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction THz sur Substrat InP H/F
Contexte de Travail
L'activité sera menée au sein de l'équipe ANODE (Advanced Nanometric Device) de l'IEMN, spécialisée dans la réalisation et la caractérisation de composants très haute fréquence. Les applications THz sont l'une des spécialités du groupe.
Missions
La mission du candidat chercheur CDD consistera à fabriquer des dispositifs à semi-conducteur dans la centrale de Micro-Nano Fabrication (CMNF) de l'Institut. Il s'agira de la fabrication de Transistors Bipolaires à Double Hétérojonction (DHBT) InP/InGaAs ou InP/GaAsSb sur substrat InP dans le but de faire de l'amplification de puissance entre 200 et 300 GHz. Un volet caractérisation fera également partie de la mission.
Compétences
Le candidat doit être titulaire d'une thèse de doctorat spécialité micro-nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinés aux applications hyperfréquence et THz. Un savoir-faire en rapport à la fabrication de composant III-V serait appréciable.
Activités
L'objectif principal de l'activité consistera à optimiser très finement les étapes technologiques du procédé de fabrication du Transistor Bipolaire à Double Hétérojonction (DHBT) et de participer en continu à son développement ou à développer de nouveaux procédés.
Conditions de Travail
L'activité sera essentiellement centrée sur un travail en salle blanche mais comprendra également des mesures des dispositifs réalisés en centrale de caractérisation de l'IEMN.
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Ingénieur en Micro-Nano Fabrication
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