CDD Doctorant Nouveau procédé épitaxial de GaN sur Silicium pour transistor de puissance à avalanche H/

Informations générales

Organisme de rattachement

CNRS  

Référence

UMR7073-MICPEF-095  

Date de début de diffusion

/01/2026

Date de parution

/01/2026

Date de fin de diffusion

/02/2026

Intitulé long de l'offre

CDD Doctorant Nouveau procédé épitaxial de GaN sur Silicium pour transistor de puissance à avalanche H/F

Date limite de candidature

06/02/2026

Nature du contrat

CDD de 3 ans

Versant

Fonction Publique de l'Etat

Catégorie

Catégorie A (cadre)

Nature de l'emploi

Emploi ouvert uniquement aux contractuels

Domaine / Métier

Recherche - Chercheuse / Chercheur

Statut du poste

Vacant

Intitulé du poste

CDD Doctorant Nouveau procédé épitaxial de GaN sur Silicium pour transistor de puissance à avalanche H/

Descriptif de l'employeur

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l'Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d'éthique, de déontologie et d'intégrité scientifique.

Description du poste

Sujet de thèse :
Pour faire face aux multiples défis de la transition énergétique, que ce soit au niveau de la génération, du transport ou de l'utilisation de l'électricité, des composants électroniques extrêmement efficaces sont nécessaires. Ainsi, des nouveaux composants sont développés à partir du nitrure de gallium (GaN) pour fabriquer des interrupteurs et des redresseurs rapides pouvant supporter de fortes tensions pour des tailles de composants réduites par rapport à ceux fabriqués avec du Silicium. Cependant tous ces composants qui doivent permettre de réduire les pertes d'énergie durant toutes les étapes de transformation de l'électricité restent difficiles à fabriquer en grandes quantités à faible coût. Que ce soit pour des applications grand public en deçà de 220 V, ou pour les véhicules électriques ou hybrides entre 600 et 1200V, le dépôt par épitaxie de semiconducteurs tels que le GaN sur des substrats de grand diamètre est un point clé pour faire baisser les coûts de fabrication. Pour cela, des substrats de Silicium sont utilisés comme support, mais les grandes différences de propriétés cristallines (paramètres de maille, coefficients de dilatation) entre le GaN et le Silicium sont à l'origine de défauts cristallins et de contraintes mécaniques néfastes pour une fabrication contrôlée de composants performants. Pour pallier ce point, le projet vise le développement de nouveaux empilements de couches épitaxiées contenant du Nitrure de Gallium (GaN) sur substrat Silicium pour démontrer un transistor de puissance capable de supporter des tensions supérieures à 1200 V. En particulier, le projet vise à lever les limitations liées au claquage qui oblige habituellement à recourir à des films de GaN très épais. Ces idées ont fait l'objet d'une première démonstration de principe à plus basse tension (500 V) avec des films fins. Des difficultés techniques demeurent cependant pour la réalisation de couches épitaxiales optimales, conformes à cette nouvelle approche et capables de résister à une tension de 1400 V. La thèse proposée explorera les différentes stratégies épitaxiales par EJM, EPVOM ou leur combinaison. Au sein de ce projet financé par l'ANR, l'entreprise III-V lab apportera son soutien avec l'épitaxie de structures par EPVOM. Le laboratoire LN2 mènera les activités de conception au moyen de simulations et fabriquera des composants de test. Les caractérisations électriques en modes continu et pulsé seront réalisées sous haute tension au LAAS pour démontrer les atouts de ces nouveaux dispositifs.
Contexte :
La thèse proposée dans ce contexte se déroulera au CRHEA (Valbonne, 06). Elle portera sur l'épitaxie de ces nouvelles structures au moyen des techniques EJM et EPVOM et leurs caractérisations structurales et électriques qui seront validées par les partenaires via la fabrication et la caractérisation de dispositifs de test.

Conditions particulières d'exercice

Le Centre national de la recherche scientifique est l'une des plus importantes institutions publiques au monde : femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l'Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l'international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l'innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Descriptif du profil recherché

Contraintes et risques :

Temps plein

Oui

Rémunération contractuels (en € brut/an)

La rémunération est d'un minimum de 2300,00 € mensuel

Localisation du poste

Europe, France, Provence-Alpes-Côte-D'Azur, Alpes Maritimes (06)

Géolocalisation du poste

VALBONNE

Lieu d'affectation (sans géolocalisation)

06560 VALBONNE (France)

Critères candidat
Niveau d'études / Diplôme

Niveau 7 Master/diplômes équivalents

Spécialisation

Formations générales

Langues

Français (Seuil)

---