Post Doctorant IRL Georgia Tech

Cette offre est disponible dans les langues suivantes: - Français - Anglais Date Limite Candidature : mardi 22 octobre 2024 23:59:00 heure de Paris **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en croissance de couches phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) H/F** Référence :...

Informations générales Intitulé de l'offre : Post Doctorant IRL Georgia Tech - CNRS en Interfaces 2D pour le dépôt et le transfert épitaXiques de GaN H/F Référence : IRL2958-CRICOR-017 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : METZ Date de publication : jeudi 31 octobre 2024 Type de contrat : CDD Scientifique Durée du contrat : 12 mois Date...

Cette offre est disponible dans les langues suivantes: - Français - Anglais Date Limite Candidature : mardi 19 novembre 2024 23:59:00 heure de Paris **Informations générales**: **Intitulé de l'offre **:Doctorant en Calculateur analogique neuromorphique pour la résolution de problèmes NP-difficiles avec une plateforme FPAA (H/F)** Référence :...

Informations généralesTitre de l'offre : Doctorant en Calculateur analogique neuromorphiqueRéférence : Nombre de postes : 1Lieu de travail : Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoralDurée du contrat : 36 moisQuotité de travail : Temps completRémunération : La rémunération est d'un minimum de 2200,00 € mensuelSection(s) CN : Micro et...

Informations générales Intitulé de l'offre : DOCTORANT en Dopage photo induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une application UVC profondeH/F Référence : IRL2958-CRICOR-018 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : METZ Date de publication : jeudi 24 octobre 2024 Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral Durée du contrat : 36 mois...

Informations générales Intitulé de l'offre : Doctorant en Calculateur analogique neuromorphique pour la résolution de problèmes NP-difficiles avec une plateforme FPAA (H/F) Référence : IRL2958-CRICOR-020 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : METZ Date de publication : mardi 29 octobre 2024 Type de contrat : CDD Doctorant/Contrat doctoral...

Informations généralesTitre de l'offre : Développeur de matériaux semiconducteursRecherchez un poste de développement de matériaux semiconducteurs à l'IRL 2958 Georgia Tech - CNRS.MissionsNous recherchons un candidat ayant des compétences en épitaxie et en micro-fabrication pour rejoindre notre équipe de recherche au CNRS. Le candidat idéal doit...

Présentation du PosteL'IRL 2958 GT-CNRS, un laboratoire commun entre le Georgia Institute of Technology et le CNRS, recherche un Ingénieur de Recherche en Développement de Biocapteurs pour rejoindre son équipe de recherche à Metz. Le candidat sélectionné travaillera sur le développement d'un biocapteur basé sur des transistors à haute...

Offre de thèseCette thèse de doctorat sera menée dans le cadre du projet ANR BIRD. L'objectif principal est de comprendre le mécanisme sous-jacent de la transition, par illumination UV, d'isolant à conducteur dans le h-BN.Contexte de travailCette thèse sera réalisée dans le contexte de l'IRL 2958 GT-CNRS, un laboratoire international commun entre le...

Informations généralesTitre de l'offre : DOCTORANT en Dopage photo induit dans le nitrure de bore hexagonal pour une application UVC profondeH/FRéférence : IRL2958-CRICOR-018Description du sujet de thèseCette thèse de doctorat sera menée dans le cadre du projet ANR BIRD. Le projet vise à comprendre le mécanisme sous-jacent de la transition, par...

Contexte du ProjetLe projet vise à développer un biocapteur basé sur des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour la détection de la protéine S100B, un biomarqueur pour les lésions cérébrales traumatiques.MissionsLe candidat devra concevoir et fabriquer une puce microfluidique avec des électrodes intégrées à des fins de...

Job SummaryWe are seeking a highly motivated postdoctoral researcher to join our team at CNRS in Metz, France. The successful candidate will work on the development of a novel method for growing and transferring thick GaN layers on metallic substrates for power electronics applications.Key ResponsibilitiesDesign and conduct experiments to study the growth of...

Job SummaryWe are seeking a highly motivated postdoctoral researcher to join our team at CNRS in Metz, France. The successful candidate will work on the development of a novel method for growing and transferring thick GaN layers on metallic substrates for power electronics applications.Key ResponsibilitiesDesign and conduct experiments to study the growth of...

Présentation du ProjetLe projet vise à développer un biocapteur basé sur des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) pour la détection de la protéine S100B, un biomarqueur pour les lésions cérébrales traumatiques. Notre équipe est l'un des leaders européens dans le domaine de l'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE),...

Présentation de l'offre Le CNRS propose un poste d'ingénieur en recherche pour rejoindre son équipe « Photonic and Terahertz Imaging » à Georgia Tech Europe à Metz. Ce projet consiste à développer un calculateur analogique neuromorphique innovant capable de résoudre des problèmes NP-difficiles tels que le problème du voyageur de...

Informations GénéralesTitre de l'Offre : Spécialiste en Dopage Photo-Induit dans le Nitrure de Bore HexagonalRéférence : IRL2958-CRICOR-018Nombre de Postes : 1Lieu de Travail : CNRSType de Contrat : CDD Doctorant/Contrat DoctoralDurée du Contrat : 36 MoisQuotité de Travail : Temps CompletRémunération : La Rémunération est d'un Minimum de 2200,00...

Offre de thèse : Dopage photo induit dans le nitrure de bore hexagonalInformations généralesLe poste de doctorant est ouvert dans le cadre du projet ANR BIRD. Le candidat sélectionné travaillera sur la micro-fabrication des composants de base, leur dopage par illumination ainsi que la fabrication de composants avancés par détachement et...

Offre de posteLe CNRS recherche un postdoctorant pour travailler sur le projet DIXIT, qui vise à développer une nouvelle méthode de croissance de couches de GaN épais et de haute qualité. Le candidat idéal doit avoir une formation en ingénierie, en physique et/ou en génie électrique, et avoir une expérience en épitaxie MOVPE et en...

Informations clésL'IRL 2958 Georgia Tech - CNRS recherche un postdoctorant pour travailler sur le développement de dispositifs en électronique de puissance utilisant des matériaux à base de nitrure de gallium (GaN).MissionsLe candidat sélectionné sera chargé de l'étude de la croissance de couches épaisses de GaN par épitaxie en phase...

Informations générales Intitulé de l'offre : Ingénieur de Recherche en Développement d’un biocapteur basé sur l’utilisation de transistors à haute mobilité électronique pour le dosage de la protéine (H/F) Référence : IRL2958-CRICOR-019 Nombre de Postes : 1 Lieu de travail : METZ Date de publication : jeudi 24 octobre 2024 Type de...