Chercheur post-doctoral en photonique et phononique intégrées

Informations générales

Organisme de rattachement

CNRS  

Référence

UMR9001-MATJEA-001  

Date de début de diffusion

/01/2026

Date de parution

/01/2026

Date de fin de diffusion

/01/2026

Intitulé long de l'offre

Chercheur post-doctoral en photonique et phononique intégrées (H/F)

Date limite de candidature

26/01/2026

Nature du contrat

CDD d'1 an

Versant

Fonction Publique de l'Etat

Catégorie

Catégorie A (cadre)

Nature de l'emploi

Emploi ouvert uniquement aux contractuels

Domaine / Métier

Recherche - Chercheuse / Chercheur

Statut du poste

Vacant

Intitulé du poste

Chercheur post-doctoral en photonique et phononique intégrées (H/F)

Descriptif de l'employeur

Le Centre national de la recherche scientifique est un organisme public de recherche pluridisciplinaire placé sous la tutelle du ministère de l'Enseignement supérieure et de la Recherche. Créé en 1939 et dirigé par des scientifiques, il a pour mission de faire progresser la connaissance et être utile à la société dans le respect des règles d'éthique, de déontologie et d'intégrité scientifique.

Description du poste

Missions :
Ce projet vise à explorer l'amplification d'ondes de surface acoustiques couplées à un gaz d'électrons à haute mobilité par l'effet acoustoélectrique, dans le but de développer des circuits photoniques et phononiques non-linéaires. L'étude porte sur une combinaison de matériaux réputée pour allier piézoélectricité et abriter un gaz d'électron à mobilité relativement élevée : AlGaN/GaN. Il sera donc possible de moduler la densité de porteurs électroniques par l'application d'une tension de grille. Le GaN étant transparent aux longueurs d'ondes proche et moyen infrarouge, nous pourrons alors développer des circuits intégrés photoniques-phoniques hybrides mettant à profit l'amplification acoustoélectrique pour exalter l'interaction acousto-optique à l'échelle micrométrique.
Activités :
La personne recrutée rejoindra le projet dans sa phase initiale. Les premières étapes consisteront en la fabrication de lignes à retard passives en GaN/Sapphire, et l'introduction d'un gaz d'électon bidimensionnel pour estimer l'amplitude atteignable de l'effet acoustoélectrique, qui seront complétées par des simulations numériques. La structure active acoustoélectrique sera ensuite intégrée à des circuits photoniques intégrés proche et moyen infrarouge. Selon les résultats, le développement de l'intégration hybride de semiconducteurs III-V sur LNOI sera envisagé.
Contexte de travail :
Le poste est proposé au sein du Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), un laboratoire sous tutelle du CNRS et de l'Université Paris Saclay à Palaiseau, abritant une salle blanche à l'état de l'art, jouissant d'une expertise reconnue à l'international en nanofabrication et constitue un environnement de recherche dynamique et multidisciplinaire balayant notamment la physique quantique, la nanophysique et la photonique.
Ce projet permettra d'étendre les activités du groupe ODIN/MIR-THz dans la thématique des dispositifs à ondes de surface, dans le cadre du projet ANR Acousto-MIR. Le but de ce projet ANR est de démontrer des dispositifs en GaAs/AlGaAs pour la photonique intégrée dans la gamme spectrale 8-10 µm. En particulier, nous avons déjà construit un vibromètre hétérodyne afin de cartographier les ondes de surface acoustiques avec une précision latérale sub‑µm. Ce montage expérimental simplifiera grandement la caractérisation des dispositifs acoustoélectriques, en permettant une mesure sans contact de l'amplitude des ondes acoustiques. L'épitaxie des structures GaN/AlGaN sera effectuée par nos collaborateurs du CHREA, et le projet bénéficiera de collaborations avec l'équipe MiNaPhot pour les perspectives de photonique intégrée.

Conditions particulières d'exercice

Le Centre national de la recherche scientifique est l'une des plus importantes institutions publiques au monde : femmes et hommes (plus de 1 000 laboratoires et 200 métiers), en partenariat avec les universités et les grandes écoles, y font progresser les connaissances en explorant le vivant, la matière, l'Univers et le fonctionnement des sociétés humaines. Depuis plus de 80 ans, y sont développées des recherches pluri et interdisciplinaires sur tout le territoire national, en Europe et à l'international. Le lien étroit que le CNRS tisse entre ses missions de recherche et le transfert vers la société fait de lui un acteur clé de l'innovation en France et dans le monde. Le partenariat qui le lie avec les entreprises est le socle de sa politique de valorisation et les start-ups issues de ses laboratoires (près de 100 chaque année) témoignent du potentiel économique de ses travaux de recherche.

Descriptif du profil recherché

Competences :
Le candidat ou la candidate doit être titulaire d'un doctorat en Physique, avec une solide expérience de fabrication en salle blanche (de préférence mais non nécessairement, sur semiconducteur III-V). Le projet est à très forte composante expérimentale, et les candidats et candidates doivent justifier d'une expérience dans la caractérisation de composants électroniques, ainsi que de savoir-faire sur la construction et le développement de montages optiques. Une expérience en simulations numériques (COMSOL en particulier) et un certain niveau en codage seront appréciés. Une expertise en ondes de surface acoustiques sera un atout mais n'est pas obligatoire.
Contraintes et risques :

Temps plein

Oui

Rémunération contractuels (en € brut/an)

entre 3000€ et 4000€ brut mensuel selon l'expérience

Localisation du poste

Europe, France, Île-de-France, Essonne (91)

Géolocalisation du poste

PALAISEAU

Lieu d'affectation (sans géolocalisation)

91120 PALAISEAU (France)

Critères candidat
Niveau d'études / Diplôme

Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents

Spécialisation

Formations générales

Langues

Français (Seuil)

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