Post-doctorant en Optimisation de la technologie Ga2O3 pour la réalisation de composantes puissantes et

Il y a 1 semaine

Villeurbanne, Auvergne-Rhône-Alpes, France CNRS Temps plein

Vos missions en quelques mots

Missions :
- Recherche bibliographie sur les composants GaN à conduction latérale.
- Recherche bibliographie sur la technologie des composants Ga203.
- Réalisation d'une diode.
- Caractérisation électrique, DLTS, RAMAN, OBIC.
- Optimisation de la simulation à base d'éléments finis de la diode.
Activités :
L’objectif du poste est de pouvoir avoir un premier composant de puissance en Ga203 à base d’une hétérojonction permettant à la fois de le caractériser électriquement, physiquement et optiquement afin de pouvoir trouver les paramètres optimaux pour la simulation à base d'éléments finis de composants Ga203 et d'identifier, quantifier les défauts dans le matériau.
Contributions originales attendues : Fabrication diode Schottky pour mesures OBIC (Optical Beam Induced current).
En parallèle de cela, le candidat devra être formé pour la caractérisation électrique des composants en GaN.
Contexte de travail :
Le Ga203 est un semi-conducteur ultra grand gap. Il a les propriétés
physiques qui permettent de fabriquer des composants haute tension et fort courant pour des domaines tels que le smart grid. L'INL travaille depuis quelques années sur la caractérisation physique de ce matériau.
Aujourd'hui, la qualité de ce matériau nous permet d'entrevoir la fabrication de composants de puissance.
Mixer les compétences acquises sur Ga203 à l'INL, la salle blanche de l'INL et les compétences sur les composants de puissance à AMPERE permet de proposer ce sujet de thèse original en France. En Europe, aux Etats-unis, au Japon, des projets de recherche existent sur la réalisation de composants de puissance.
Le GaN est un semi-conducteur grand gap. La technologie est plus mâture que celle du Ga2O3. Aujourd’hui des composants de type transistors existent sur le marché. Tous les développements ont lieu pour des composants à conduction latérale. Le projet PEPR VERTIGO quant à lui propose une alternative de composants en GaN mais à conduction verticale.

En rejoignant le laboratoire AMPERE, vous intégrerez une unité de recherche implantée sur quatre sites et reconnue pour son expertise en ingénierie et en technologies. Ses travaux portent notamment sur la gestion et l'utilisation raisonnée de l'énergie au sein de systèmes en interaction avec leur environnement.
Le laboratoire se distingue en particulier par son expertise dans le domaine des biopiles microbiennes appliquées au traitement des effluents et à la production d'énergie. Cette excellence repose sur une forte interdisciplinarité, associant des compétences en bio-ingénierie, électrochimie, microbiologie et génie électrique.
Le laboratoire AMPERE rassemble près de 210 membres, chercheurs, enseignants-chercheurs, ingénieurs, techniciens et doctorants, mobilisés autour de projets de recherche ambitieux et d'innovations de pointe.

Profil recherché

Competences :
Maitriser en salle blanche les étapes de Photolithographie, Dépôt de couches minces métalliques, Caractérisation électriques à l’aide d’une SMU et/ou d’un curve tracer de type Keithley 4200 et/ou Keysight B1505, Programmation Python.
Contraintes et risques :
Risques électriques et Chimiques.

Niveau d'études minimum requis

  • Niveau Niveau 8 Doctorat/diplômes équivalents
  • Spécialisation Formations générales

Langues

  • Français Seuil