Phd: Mos Transistor Modeling at Cryogenic

Il y a 2 mois


Crolles, France Stmicroelectronics Temps plein

**PhD: MOS transistor modeling at cryogenic temperature**:

- Réf
- **ABG-111807**
- Sujet de Thèse- Junior- 07/03/2023- CDI- Stmicroelectronics- Lieu de travail- Crolles - Auvergne-Rhône-Alpes - France- Intitulé du sujet- PhD: MOS transistor modeling at cryogenic temperature- Champs scientifiques- Electronique

**Description du sujet**:
Pour couvrir à la fois les besoins numériques et analogiques, ces modèles compacts doivent prendre en compte non seulement une description du transistor isolé et idéal, mais aussi de tous les éléments parasites/extrinsèques tel que la résistance de grille, le comportement du substrat, le bruit, les effets non quasi statiques, etc...
Néanmoins, l'état de l'art montre que les modélisations proposées à température cryogénique n'ont pas encore la qualité offerte à température ambiante. Les difficultés rencontrées sont liées à la mesure des caractéristiques électriques sur lesquelles se base la conception des modèles, et à la mise en forme compacte des équations du modèle à très basse température. A l'heure actuelle, aucune solution de modélisation compacte satisfaisante n'est proposée dans la littérature, notamment pour du FD-SOI.
L'objectif de cette thèse est donc de renforcer les connaissances scientifiques et techniques afin de modéliser précisément le comportement des transistors MOS des technologies FD-SOI en environnement cryogénique jusqu'à 4K.

Travail à effectuer
Les principaux objectifs de cette thèse sont:
1. Identification et modélisation des phénomènes physiques liés au comportement DC des transistors qui apparaissent à très basse température (mobilité, confinement quantique, etc ) et adaptation du modèle compact existant jusqu'à 4K.
2. Modélisation du comportement dynamique des transistors (régime petit signal en RF jusqu'à 20GHz, effets transitoires,), des éléments parasites/extrinsèques (résistance, capacité, jonction, etc..) et validation du modèle avec des données expérimentales.
3. Introduction du bruit en 1/f et RTN (Random Telegraph Noise) dans le modèle.

Le/la doctorant/e aura à sa disposition des structures de test réalisées sur des technologies FD-SOI de STMicroelectronics, et les moyens de caractérisation à température cryogénique du CEA-Leti (bancs manuels cryogéniques DC & RF, à flux d'Hélium).

**Nature du financement**:
**Précisions sur le financement**:
**Présentation établissement et labo d'accueil**:

- StmicroelectronicsSTMicroelectronics is a leading semiconductor company, a world key player thanks to our more than 50,000 employees including 8,300 working in R&D.

ST's products are found everywhere today. And together with our customers, we are enabling smarter driving, homes, factories, and cities, along with the next generation of mobile and Internet of Things devices.
Everywhere microelectronics makes a positive contribution to people lives, ST is there.

Titulaire d'un Master ou dipôme d'ingénieur avec de solides bases en physiques des semi-conducteurs et en micro/nano électronique
Creativité, curiosité et autonomie seront des qualités particulièrement appréciées pour la réussite de ce projet de thèse



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    Position description **Posting title**: - PhD CIFRE: MOS transistor modeling at cryogenic temperature down to 4 K and below in FDSOI M/F **Regular/Temporary**: - Temporary **Contract duration (nb of months)**: - 36 **Job description**: - Pour couvrir à la fois les besoins numériques et analogiques, ces modèles compacts doivent prendre en compte...


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    Position description **Posting title**: - Characterization & Modeling M/F **Regular/Temporary**: - Temporary **Contract duration (nb of months)**: - 36 **Job description**: - PHD -Fiabilité des transistors FDSOI a température cryogénique - Votre sujet portera sur la fiabilité des transistors de la technologies 28FDSOI dans la gamme des...


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    NOTRE FUTURE COLLABORATIONCIFRE - MOS transistor modeling at cryogenic temperature down to 4 K and below in FDSOIAvec l'émergence des concepts de calculateurs visant à exploiter des propriétés issues de la physique quantique (« calculateurs quantiques ») ainsi que les besoins significatifs de circuits numériques pour les applications spatiales,...


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    NOTRE FUTURE COLLABORATIONCIFRE - MOS transistor modeling at cryogenic temperature down to 4 K and below in FDSOIAvec l'émergence des concepts de calculateurs visant à exploiter des propriétés issues de la physique quantique (« calculateurs quantiques ») ainsi que les besoins significatifs de circuits numériques pour les applications spatiales,...


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    Job description POURQUOI NOUS REJOINDRE Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à...


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    Job description POURQUOI NOUS REJOINDRE Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients et des milliers de partenaires. Avec eux, nous concevons et créons des produits et des solutions qui répondent à leurs défis et à la nécessité de contribuer à...


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    Position description **Posting title**: - CIFRE - Characterization & Modeling M/F **Regular/Temporary**: - Temporary **Contract duration (nb of months)**: - 36 **Job description**: - POURQUOI NOUS REJOINDRE Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients...


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    Position description **Posting title**: - CIFRE - Characterization & Modeling M/F **Regular/Temporary**: - Temporary **Contract duration (nb of months)**: - 36 **Job description**: - POURQUOI NOUS REJOINDRE Chez ST, nous sommes plus de 50 000 créateurs et fabricants de technologies microélectroniques. Nous collaborons avec plus de 200 000 clients...


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    **PHD - New scheduling, transport & storage**: - Réf - **ABG-112747** - Sujet de Thèse- Niveau d'expérience indifférent- 31/03/2023- CDI- Stmicroelectronics- Lieu de travail- Crolles - Auvergne-Rhône-Alpes - France- Intitulé du sujet- PHD - New scheduling, transport & storage- Champs scientifiques- Electronique **Description du sujet**: CIFRE PhD...


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    Position description **Posting title**: - Characterization - Temporal Noise in Single photon Avalanche Diodes M/F **Regular/Temporary**: - Temporary **Contract duration (nb of months)**: - 6 **Job description**: - In the context of developing new single photon avalanche photodiodes (SPAD) at STMicroelectronics, we are looking to hire an intern to...


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